SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Parham P)
 

Sökning: WFRF:(Parham P) > Spin-Polarized Tunn...

  • Dankert, André,1986Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology,Chalmers, Dept Microtechnol & Nanosci, SE-41296 Gothenburg, Sweden. (författare)

Spin-Polarized Tunneling through Chemical Vapor Deposited Multilayer Molybdenum Disulfide

  • Artikel/kapitelEngelska2017

Förlag, utgivningsår, omfång ...

  • 2017-05-30
  • American Chemical Society (ACS),2017

Nummerbeteckningar

  • LIBRIS-ID:oai:research.chalmers.se:548bc53a-bcdc-4482-8176-6338ac213238
  • https://research.chalmers.se/publication/250730URI
  • https://doi.org/10.1021/acsnano.7b02819DOI
  • https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:uu:diva-330748URI

Kompletterande språkuppgifter

  • Språk:engelska
  • Sammanfattning på:engelska

Ingår i deldatabas

Klassifikation

  • Ämneskategori:art swepub-publicationtype
  • Ämneskategori:ref swepub-contenttype

Anmärkningar

  • The two-dimensional (2D) semiconductor molybdenum disulfide (MoS2) has attracted widespread attention for its extraordinary electrical-, optical-, spin-, and valley-related properties. Here, we report on spin-polarized tunneling through chemical vapor deposited multilayer MoS2 (∼7 nm) at room temperature in a vertically fabricated spin-valve device. A tunnel magnetoresistance (TMR) of 0.5–2% has been observed, corresponding to spin polarization of 5–10% in the measured temperature range of 300–75 K. First-principles calculations for ideal junctions result in a TMR up to 8% and a spin polarization of 26%. The detailed measurements at different temperature, bias voltages, and density functional theory calculations provide information about spin transport mechanisms in vertical multilayer MoS2 spin-valve devices. These findings form a platform for exploring spin functionalities in 2D semiconductors and understanding the basic phenomena that control their performance.

Ämnesord och genrebeteckningar

Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)

  • Pashaei, ParhamChalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology,Chalmers, Dept Microtechnol & Nanosci, SE-41296 Gothenburg, Sweden.,Univ Puerto Rico, Dept Phys, San Juan, PR 00931 USA.;Univ Puerto Rico, Inst Funct Nanomat, San Juan, PR 00931 USA.;Iowa State Univ, Mech Engn Dept, Ames, IA 50011 USA.,Univ Twente, MESA Inst Nanotechnol, NL-7500 AE Enschede, Netherlands.,University of Puerto Rico,Iowa State University (författare)
  • Mutta, Venkata Kamalakar,1979Uppsala universitet,Molekyl- och kondenserade materiens fysik,Chalmers, Dept Microtechnol & Nanosci, SE-41296 Gothenburg, Sweden,Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:uu)venmu994 (författare)
  • Gaur, A.P.S.University of Puerto Rico,Iowa State University,Univ Puerto Rico, Dept Phys, San Juan, PR 00931 USA.;Univ Puerto Rico, Inst Funct Nanomat, San Juan, PR 00931 USA.;Inst Phys, Bhubaneswar 751005, Odisha, India.,Trinity Coll Dublin, AMBER & CRANN Inst, Sch Phys, Dublin 2, Ireland.,Trinity College Dublin, the University of Dublin (författare)
  • Dash, Saroj Prasad,1975University of Puerto Rico,Univ Puerto Rico, Dept Phys, San Juan, PR 00931 USA.;Univ Puerto Rico, Inst Funct Nanomat, San Juan, PR 00931 USA.,Birla Institute of Technology and Science Pilani,Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)saroj (författare)
  • Rungger, I.National Physical Laboratory (NPL),Natl Phys Lab, Teddington TW11 0LW, Middx, England. (författare)
  • Narayan, A.Eidgenössische Technische Hochschule Zürich (ETH),Swiss Federal Institute of Technology in Zürich (ETH),Trinity College Dublin, the University of Dublin,Trinity Coll Dublin, AMBER & CRANN Inst, Sch Phys, Dublin 2, Ireland.;Swiss Fed Inst Technol, Mat Theory, Wolfgang Pauli Str 27, CH-8093 Zurich, Switzerland. (författare)
  • Dolui, K.University of Delaware,Trinity College Dublin, the University of Dublin,Trinity Coll Dublin, AMBER & CRANN Inst, Sch Phys, Dublin 2, Ireland.;Univ Delaware, Dept Phys & Astron, Newark, DE 19716 USA. (författare)
  • Hoque, Anamul Md,1988Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology,Chalmers, Dept Microtechnol & Nanosci, SE-41296 Gothenburg, Sweden.(Swepub:cth)anamul (författare)
  • Patel, R.S.Birla Institute of Technology and Science Pilani,Birla Inst Technol & Sci, Dept Phys, Pilani KK Birla Goa Campus, Zuarinagar 403726, Goa, India. (författare)
  • De Jong, M.P. (författare)
  • Katiyar, R.S.University of Puerto Rico (författare)
  • Sanvito, S.Trinity College Dublin, the University of Dublin (författare)
  • Dash, Saroj Prasad,1975Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)saroj (författare)
  • Chalmers tekniska högskolaChalmers, Dept Microtechnol & Nanosci, SE-41296 Gothenburg, Sweden. (creator_code:org_t)

Sammanhörande titlar

  • Ingår i:ACS Nano: American Chemical Society (ACS)11:6, s. 6389-63951936-086X1936-0851

Internetlänk

Hitta via bibliotek

  • ACS Nano (Sök värdpublikationen i LIBRIS)

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy