Independent determination of In and N concentrations in GaInNAs alloys

High-resolution x-ray diffraction (HRXRD) and photoreflectance ( PR) spectroscopy were used to independently determine the In and N concentrations in GaInNAs alloys grown by solid-source molecular beam epitaxy (SSMBE). The lattice constant and bandgap energy can be expressed as two independent equations in terms of the In and N concentrations, respectively. The HRXRD measurement provided the lattice constant and the PR measurement extracted the bandgap energy. By simultaneously solving these two equations, we have determined the In and N concentrations with the error as small as 0.001.

Lim, JunUniversity Of Nottingham (författare)
Bull, S.University Of Nottingham (författare)
Andrianov, A.V.University Of Nottingham (författare)
Staddon, C.University Of Nottingham (författare)
Foxon, TomUniversity Of Nottingham (författare)
Sadeghi, Mahdad,1964Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)mahdad (författare)
Wang, Shu Min,1963Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)shumin (författare)
Larsson, Anders,1957Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)andersla (författare)
Larkins, EricUniversity Of Nottingham (författare)
University Of NottinghamChalmers tekniska högskola (creator_code:org_t)

Ingår i:Semiconductor Science and Technology: IOP Publishing24:10, s. 105016-1361-66410268-1242

Av författaren/redakt...: Lu, W; Lim, Jun; Bull, S.; Andrianov, A.V.; Staddon, C.; Foxon, Tom; visa fler...; Sadeghi, Mahdad, ...; Wang, Shu Min, 1 ...; Larsson, Anders, ...; Larkins, Eric; visa färre...

Om ämnet

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.