Buffer Related Dispersive Effects in Microwave GaN HEMTs

↓ Direkt till sidans innehåll
↓ Direkt till sidans sekundära innehåll (sidomenyn)

Sökning: id:"swepub:oai:research.chalmers.se:5b0b1d03-fbbb-46f9-933c-0f311278b7d5" > Buffer Related Disp...

1 av 1
Föregående post
Nästa post
Till träfflistan

Bergsten, JohanChalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology (författare)

Buffer Related Dispersive Effects in Microwave GaN HEMTs

BokEngelska2018

Förlag, utgivningsår, omfång ...

Gothenburg,2018
electronicrdacarrier

Nummerbeteckningar

LIBRIS-ID:oai:research.chalmers.se:5b0b1d03-fbbb-46f9-933c-0f311278b7d5
ISBN:9789175977263
https://research.chalmers.se/publication/501617URI

Kompletterande språkuppgifter

Språk:engelska
Sammanfattning på:engelska

Ingår i deldatabas

SwePubSwePub

Klassifikation

Ämneskategori:dok swepub-publicationtype
Ämneskategori:vet swepub-contenttype

Anmärkningar

In applications such as mobile communication and radar, microwave power generation at high frequency is of utmost importance. The GaN HEMT offers a unique set of properties that makes it suitable for high power amplification at high frequencies. However, their performance is limited by trap states, leading to reduced output power and time variant effects. Furthermore, for good high frequency performance a high efficiency it is essential to limit the access resistances in the transistor. The GaN HEMT technology has long lacked a good ohmic contact with good reproducibility. In this thesis, three buffer designs are considered; C-doped GaN, AlGaN back barriers and a thin GaN structure. The three designs are evaluated in terms of trapping effects using the drain current transient technique. For the C-doped GaN buffer, trapping at dislocations covered with C-clusters is believed to be the main factor limiting output power. Dislocations are presumed to play a major role for the trapping behavior of AlGaN back barriers and the thin structure as well. The maximum output powers for C-doped GaN, AlGaN back barriers and the thin structure are 3.3, 2.7, and 3.9 W/mm at 30 GHz. The output power is found to be limited by trapping effects for all buffer designs. Moreover, a Ta-based, recessed ohmic contact enables a contact resistance of down to 0.14 Ωmm. The results also indicate that a highly reproducible process might be possible for deeply recessed contacts. An optimized AlGaN/GaN interface shows high mobility \textgreater2000 cm2/Vs without the use of an AlN-exclusion layer. The improved interface also decreases trapping effects and the gate-source capacitance at large electric fields compared to an unoptimized interface.

Ämnesord och genrebeteckningar

NATURVETENSKAP Data- och informationsvetenskap Datorteknik hsv//swe
NATURAL SCIENCES Computer and Information Sciences Computer Engineering hsv//eng
TEKNIK OCH TEKNOLOGIER Maskinteknik Rymd- och flygteknik hsv//swe
ENGINEERING AND TECHNOLOGY Mechanical Engineering Aerospace Engineering hsv//eng
TEKNIK OCH TEKNOLOGIER Elektroteknik och elektronik Annan elektroteknik och elektronik hsv//swe
ENGINEERING AND TECHNOLOGY Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering hsv//eng
trapping effects
C-doping
AlGaN/GaN interface quality
recessed ohmic contacts
GaN HEMT
buffer design

Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)

Chalmers tekniska högskola (creator_code:org_t)

Internetlänk

Hitta via bibliotek

Buffer Related Dispersive Effects in Microwave GaN HEMTs (Sök publikationen i LIBRIS)

Till lärosätets databas

1 av 1
Föregående post
Nästa post
Till träfflistan

Hitta mer i SwePub

Av författaren/redakt...: Bergsten, Johan

Om ämnet

NATURVETENSKAP: NATURVETENSKAP; och Data och informa ...; och Datorteknik

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER: TEKNIK OCH TEKNO ...; och Maskinteknik; och Rymd och flygtek ...

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER: TEKNIK OCH TEKNO ...; och Elektroteknik oc ...; och Annan elektrotek ...

Av lärosätet: Chalmers tekniska högskola

Sök utanför SwePub

Sök vidare i:: Google; Google Book Search; Google Scholar

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

LIBRIS.kb.se