Combined empirical and look-up table approach for non-quasi-static modelling of GaN HEMTs

In this paper the empirical and the look-up table approaches are combined to accurately model a gallium nitride based HEMT on silicon carbide. That solution allows to exploit the advantages of both approaches. The validity of the extracted model is verified by comparing model simulations with DC and microwave measurements.

Schreurs, DominiqueKatholieke Universiteit Leuven (författare)
Caddemi, A.Universita degli Studi di Messina,University of Messina (författare)
Angelov, Iltcho,1943Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)iltcho (författare)
Liu, RuiInteruniversity Micro-Electronics Center at Leuven (författare)
Germain, MarianneInteruniversity Micro-Electronics Center at Leuven (författare)
De Raedt, WalterInteruniversity Micro-Electronics Center at Leuven (författare)
Universita degli Studi di MessinaKatholieke Universiteit Leuven (creator_code:org_t)

Ingår i:9th International Conference on Telecommunications in Modern Satellite, Cable, and Broadcasting Services, TELSIKS 2009 - Proceedings of Paper, s. 40-439781424443833

Av författaren/redakt...: Crupi, G.; Schreurs, Domini ...; Caddemi, A.; Angelov, Iltcho, ...; Liu, Rui; Germain, Mariann ...; visa fler...; De Raedt, Walter; visa färre...

Om ämnet

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.