Growth of dilute nitrides and 1.3 μm edge emitting lasers on GaAs by MBE

Wang, Shu Min,1963Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology (författare)

In this paper, we report recent progresses on growth of dilute nitrides and 1.3 mu m lasers on GaAs using molecular beam epitaxy at Chalmers University of Technology, Sweden. Intense long wavelength light emission up to 1.71 mu m at room temperature has been achieved by using the N irradiation method and the low growth rate. It is also demonstrated that incorporation of N in relaxed InGaAs buffer grown on GaAs strongly enhances the optical quality of metamorphic InGaAs quantum wells. With the optimized growth conditions and the laser structures, we demonstrate 1.3 mu m GaInNAs edge emitting lasers on GaAs with state-of-the-art performances including a low threshold current density, a high-characteristic temperature, a 3 dB bandwidth of 17 GHz and uncooled operation at 10 Gbit/s up to 110 degrees C. The laser performances are comparable with the best reported data from the InGaAsP lasers on InP and is superior to the InAs quantum dot lasers on GaAs.

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER Elektroteknik och elektronik hsv//swe
ENGINEERING AND TECHNOLOGY Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering hsv//eng
carrier localization
molecular-beam epitaxy
quantum-well lasers
modulation
dilute nitrides
1.3 mu m edge emitting laser
performance
gainnas lasers
GaAs
GaInNAs
temperature
threshold current
photoluminescence
surface segregation

Adolfsson, Göran,1981Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)e0goran (författare)
Zhao Ternehäll, Huan,1982Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)huanz (författare)
Song, Yuxin,1981Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)yuxin (författare)
Sadeghi, Mahdad,1964Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)mahdad (författare)
Gustavsson, Johan,1974Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)johangus (författare)
Modh, Peter,1968Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)modh (författare)
Haglund, Åsa,1976Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)gu95asha (författare)
Westbergh, Petter,1981Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)petwes (författare)
Larsson, Anders,1957Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)andersla (författare)
Chalmers tekniska högskola (creator_code:org_t)

Ingår i:Physica Status Solidi (B): Basic Research: Wiley248:5, s. 1207-12111521-39510370-1972

Av författaren/redakt...: Wang, Shu Min, 1 ...; Adolfsson, Göran ...; Zhao Ternehäll, ...; Song, Yuxin, 198 ...; Sadeghi, Mahdad, ...; Gustavsson, Joha ...; visa fler...; Modh, Peter, 196 ...; Haglund, Åsa, 19 ...; Westbergh, Pette ...; Larsson, Anders, ...; visa färre...

Om ämnet

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.