Sökning: (WFRF:(Song Yuxin 1981)) srt2:(2015) pers:(Song Yuxin 1981) >
Raman scattering st...
Raman scattering studies of dilute InP1-xBix alloys reveal unusually strong oscillator strength for Bi-induced modes
-
- Pan, W. W. (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Steele, J.A. (författare)
- University of Wollongong
-
- Wang, P. (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
visa fler...
-
- Wang, K. (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Song, Yuxin, 1981 (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Yue, L. (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Wu, X. (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Xu, H. (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Zhang, Z. (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Xu, S. (författare)
- The University of Hong Kong
-
- Lu, P. F. (författare)
- Beijing University of Posts and Telecommunications (BUPT)
-
- Wu, L. (författare)
- Beijing University of Posts and Telecommunications (BUPT)
-
- Gong, Q. (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Wang, Shu Min, 1963 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2015-06-22
- 2015
- Engelska.
-
Ingår i: Semiconductor Science and Technology. - : IOP Publishing. - 1361-6641 .- 0268-1242. ; 30:9
- Relaterad länk:
-
http://dx.doi.org/10...
-
visa fler...
-
https://research.cha...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Room-temperature Raman scattering studies of new InP1-xBix alloys grown by molecular beam epitaxy are reported. Two new Bi-induced vibrations observed at 149 and 171 cm-1 are assigned to InBi-like TO and LO phonon modes, respectively, and exhibit an unusually strong intensity for the dilute regime. Two additional modes at 311 and 337 cm-1 are resolved as well with unknown origins. The Raman intensities of the InBi-like TO and LO bands, as well as the new mode at 337 cm-1, exhibit strong and linear dependence on the Bi concentration for the composition range studied, 0.003 ≤ x ≤ 0.023. This correlation may serve as a fast and convenient means of characterizing bismuth composition not only in the ternary alloy InP1-xBix but also in the quaternaries such as In1-yGayP1-xBix and In1-yAlyP1-xBix.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Materialteknik -- Bearbetnings-, yt- och fogningsteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Materials Engineering -- Manufacturing, Surface and Joining Technology (hsv//eng)
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Nanoteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Nano-technology (hsv//eng)
Nyckelord
- Raman scattering
- molecular beam epitaxy
- dilute bismides
- InPBi
- oscillator strength
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Pan, W. W.
-
Steele, J.A.
-
Wang, P.
-
Wang, K.
-
Song, Yuxin, 198 ...
-
Yue, L.
-
visa fler...
-
Wu, X.
-
Xu, H.
-
Zhang, Z.
-
Xu, S.
-
Lu, P. F.
-
Wu, L.
-
Gong, Q.
-
Wang, Shu Min, 1 ...
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Materialteknik
-
och Bearbetnings yt ...
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Nanoteknik
- Artiklar i publikationen
-
Semiconductor Sc ...
- Av lärosätet
-
Chalmers tekniska högskola