SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Lemme M.C.)
 

Sökning: WFRF:(Lemme M.C.) > The Schottky barrie...

The Schottky barrier transistor in emerging electronic devices

Schwarz, Mike (författare)
Vethaak, Tom, 1993 (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
Derycke, Vincent (författare)
Université Paris-Saclay,University Paris-Saclay
visa fler...
Francheteau, Anais (författare)
Université Grenoble Alpes,Grenoble Alpes University
Iniguez, Benjamin (författare)
Universitat Rovira i Virgili,Rovira i Virgili University
Kataria, Satender (författare)
Rheinisch-Westfaelische Technische Hochschule Aachen,RWTH Aachen University
Kloes, Alexander (författare)
Lefloch, Francois (författare)
Université Grenoble Alpes,Grenoble Alpes University
Lemme, M.C. (författare)
Rheinisch-Westfaelische Technische Hochschule Aachen,RWTH Aachen University
Snyder, John P. (författare)
Weber, Walter M. (författare)
Technische Universität Wien,Vienna University of Technology
Calvet, Laurie E. (författare)
Centre national de la recherche scientifique (CNRS)
visa färre...
 (creator_code:org_t)
2023
2023
Engelska.
Ingår i: Nanotechnology. - 1361-6528 .- 0957-4484. ; 34:35
  • Forskningsöversikt (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • This paper explores how the Schottky barrier (SB) transistor is used in a variety of applications and material systems. A discussion of SB formation, current transport processes, and an overview of modeling are first considered. Three discussions follow, which detail the role of SB transistors in high performance, ubiquitous and cryogenic electronics. For high performance computing, the SB typically needs to be minimized to achieve optimal performance and we explore the methods adopted in carbon nanotube technology and two-dimensional electronics. On the contrary for ubiquitous electronics, the SB can be used advantageously in source-gated transistors and reconfigurable field-effect transistors (FETs) for sensors, neuromorphic hardware and security applications. Similarly, judicious use of an SB can be an asset for applications involving Josephson junction FETs.

Ämnesord

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER  -- Elektroteknik och elektronik -- Annan elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
ENGINEERING AND TECHNOLOGY  -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
NATURVETENSKAP  -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
NATURAL SCIENCES  -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)

Nyckelord

source-gated transistors
1D materials
2D materials
thin film transistors
Josephson junctions
Schottky barriers
field effect transistors

Publikations- och innehållstyp

for (ämneskategori)
ref (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy