Thermal characterization of the intrinsic noise parameters for AlGaN/GaN HEMTs

Thorsell, Mattias,1982Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology (författare)

The noise parameters of AlGaN/GaN-HEMTs are measured between 298 K and 423 K. The temperature dependent access resistances are de-embedded and the intrinsic noise parameters are studied as a function of temperature. It is shown that the parasitic access resistances are limiting the highfrequency noise performance of the AlGaN/GaN-HEMT.The intrinsic noise sources are extracted and a noise model is derived and verified for a MMIC amplifier.

Andersson, Kristoffer,1976Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)e7koffe (författare)
Fagerlind, Martin,1980Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)fagemart (författare)
Sudow, Mattias,1980Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)e9sudow (författare)
Nilsson, Per-Åke,1964Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)pernilss (författare)
Rorsman, Niklas,1964Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)rorsman (författare)
Chalmers tekniska högskola (creator_code:org_t)

Ingår i:International Microwave Symposium Digest, 2008, Atlanta, s. 463-4660149-645X9781424417810

Av författaren/redakt...: Thorsell, Mattia ...; Andersson, Krist ...; Fagerlind, Marti ...; Sudow, Mattias, ...; Nilsson, Per-Åke ...; Rorsman, Niklas, ...

Om ämnet

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER: TEKNIK OCH TEKNO ...; och Elektroteknik oc ...; och Annan elektrotek ...

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.