Identification technique of FET model based on vector nonlinear measurements

A new modelling approach which exploits only vector nonlinear measurements is described. The parameters of the I-V and Q-V nonlinear constitutive functions are identified by combining low-and high-frequency large-signal measurements with a numerical optimisation routine. Low-frequency dispersion manifesting in the I-V characteristics is also correctly accounted for. As a case study a gallium nitride HEMT on silicon carbide substrate is considered and very good agreement between measurements and simulation is achieved.

Schreurs, D.Katholieke Universiteit Leuven (författare)
Raffo, A.University of Ferrara (författare)
Crupi, G.Universita degli Studi di Messina,University of Messina (författare)
Angelov, Iltcho,1943Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)iltcho (författare)
Vannini, G.University of Ferrara (författare)
Nauwelaers, B.Katholieke Universiteit Leuven (författare)
Katholieke Universiteit LeuvenUniversity of Ferrara (creator_code:org_t)

Ingår i:Electronics Letters: Institution of Engineering and Technology (IET)47:24, s. 1323-U371350-911X0013-5194

Av författaren/redakt...: Avolio, G.; Schreurs, D.; Raffo, A.; Crupi, G.; Angelov, Iltcho, ...; Vannini, G.; visa fler...; Nauwelaers, B.; visa färre...

Om ämnet

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.