Sökning: (AMNE:(TEKNIKVETENSKAP)) srt2:(1980-1999) >
Ethanol sensitivity...
Ethanol sensitivity of palladium-gate metal-oxide-semiconductor structures
-
- Ackelid, Ulf (författare)
- Linköpings universitet,Tillämpad Fysik,Tekniska högskolan
-
- Armgarth, M. (författare)
- Linköpings universitet,Tillämpad Fysik,Tekniska högskolan
-
- Spetz, Anita (författare)
- Linköpings universitet,Tillämpad Fysik,Tekniska högskolan
-
visa fler...
-
- Lundström, Ingemar (författare)
- Linköpings universitet,Tillämpad Fysik,Tekniska högskolan
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 1986
- 1986
- Engelska.
-
Ingår i: IEEE Electron Device Letters. - : Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE). - 0741-3106 .- 1558-0563. ; 7:6, s. 353-355
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Hydrogen-sensitive palladium-gate MOS structures heated above 150°C show sensitivity to ethanol vapor. The effect is probably due to catalytic dehydrogenation of adsorbed ethanol molecules on the surface of the palladium gate.
Nyckelord
- TECHNOLOGY
- TEKNIKVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas