Sökning: (WFRF:(Palisaitis Justinas 1983 )) >
Epitaxial GaN using...
Epitaxial GaN using Ga(NMe2)3 and NH3 plasma by Atomic Layer Deposition
-
- Rouf, Polla, 1993- (författare)
- Linköpings universitet,Kemi,Tekniska fakulteten
-
- O´brien, Nathan (författare)
- Linköpings universitet,Kemi,Tekniska fakulteten
-
- Buttera, Sydney C. (författare)
- Department of Chemistry, Carleton University, Ottawa, Ontario, Canada
-
visa fler...
-
- Martinovic, Ivan (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten
-
- Bakhit, Babak, 1983- (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten
-
- Martinsson, Erik, 1983- (författare)
- Linköpings universitet,Biofysik och bioteknik,Tekniska fakulteten
-
- Palisaitis, Justinas, 1983- (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten
-
- Hsu, Chih-Wei, 1978- (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten
-
- Pedersen, Henrik, 1981- (författare)
- Linköpings universitet,Kemi,Tekniska fakulteten
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2020
- 2020
- Engelska.
-
Ingår i: Journal of Materials Chemistry C. - : Royal Society of Chemistry. - 2050-7526 .- 2050-7534. ; 8:25, s. 8457-8465
- Relaterad länk:
-
https://liu.diva-por... (primary) (Raw object)
-
visa fler...
-
https://pubs.rsc.org...
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Low temperature deposition of high-quality epitaxial GaN is crucial for its integration in electronic applications. Chemical vapor deposition at approximately 800 °C using SiC with an AlN buffer layer or nitridized sapphire as substrate is used to facilitate the GaN growth. Here, we present a low temperature atomic layer deposition (ALD) process using tris(dimethylamido)gallium(III) with NH3 plasma. The ALD process shows self-limiting behaviour between 130–250 °C with a growth rate of 1.4 Å per cycle. The GaN films produced were crystalline on Si (100) at all deposition temperatures with a near stochiometric Ga/N ratio with low carbon and oxygen impurities. When GaN was deposited on 4H-SiC, the films grew epitaxially without the need for an AlN buffer layer, which has never been reported before. The bandgap of the GaN films was measured to be ∼3.42 eV and the Fermi level showed that the GaN was unintentionally n-type doped. This study shows the potential of ALD for GaN-based electronic devices.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Kemi -- Materialkemi (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Chemical Sciences -- Materials Chemistry (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Rouf, Polla, 199 ...
-
O´brien, Nathan
-
Buttera, Sydney ...
-
Martinovic, Ivan
-
Bakhit, Babak, 1 ...
-
Martinsson, Erik ...
-
visa fler...
-
Palisaitis, Just ...
-
Hsu, Chih-Wei, 1 ...
-
Pedersen, Henrik ...
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Kemi
-
och Materialkemi
- Artiklar i publikationen
-
Journal of Mater ...
- Av lärosätet
-
Linköpings universitet