A Monolithic, 500 degrees C Operational Amplifier in 4H-SiC Bipolar Technology

↓ Direkt till sidans innehåll
↓ Direkt till sidans sekundära innehåll (sidomenyn)

Sökning: WFRF:(Hedayati Raheleh) > (2014) > A Monolithic, 500 d...

1 av 1
Föregående post
Nästa post
Till träfflistan

LIBRIS Formathandbok (Information om MARC21)

Fältnamn	Indikatorer	Metadata
000		02773naa a2200409 4500
001		oai:DiVA.org:kth-148621
003		SwePub
008		140811s2014 \| \|\|\|\|\|\|\|\|\|\|\|000 \|\|eng\|
024	7	a https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-1486212 URI
024	7	a https://doi.org/10.1109/LED.2014.23223352 DOI
040		a (SwePub)kth
041		a engb eng
042		9 SwePub
072	7	a ref2 swepub-contenttype
072	7	a art2 swepub-publicationtype
100	1	a Hedayati, Rahelehu KTH,Integrerade komponenter och kretsar4 aut0 (Swepub:kth)u1g0k69x
245	1 0	a A Monolithic, 500 degrees C Operational Amplifier in 4H-SiC Bipolar Technology
264	1	b IEEE,c 2014
338		a electronic2 rdacarrier
500		a QC 20140812
520		a A monolithic bipolar operational amplifier (opamp) fabricated in 4H-SiC technology is presented. The opamp has been used in an inverting negative feedback amplifier configuration. Wide temperature operation of the amplifier is demonstrated from 25 degrees C to 500 degrees C. The measured closed loop gain is around 40 dB for all temperatures whereas the 3 dB bandwidth increases from 270 kHz at 25 degrees C to 410 kHz at 500 degrees C. The opamp achieves 1.46 V/mu s slew rate and 0.25% total harmonic distortion. This is the first report on high temperature operation of a fully integrated SiC bipolar opamp which demonstrates the feasibility of this technology for high temperature analog integrated circuits.
650	7	a TEKNIK OCH TEKNOLOGIERx Elektroteknik och elektronik0 (SwePub)2022 hsv//swe
650	7	a ENGINEERING AND TECHNOLOGYx Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering0 (SwePub)2022 hsv//eng
653		a Bipolar integrated circuits (ICs)
653		a high temperature ICs
653		a negative feedback
653		a operational amplifiers
700	1	a Lanni, Luigiau KTH,Integrerade komponenter och kretsar4 aut0 (Swepub:kth)u1qiot46
700	1	a Rodriguez, Saulu KTH,Integrerade komponenter och kretsar4 aut0 (Swepub:kth)u1vuponf
700	1	a Malm, Bengt Gunnaru KTH,Integrerade komponenter och kretsar4 aut0 (Swepub:kth)u13lag9j
700	1	a Rusu, Anau KTH,Integrerade komponenter och kretsar4 aut0 (Swepub:kth)u1ymok24
700	1	a Zetterling, Carl-Mikaelu KTH,Integrerade komponenter och kretsar4 aut0 (Swepub:kth)u15o61ns
710	2	a KTHb Integrerade komponenter och kretsar4 org
773	0	t IEEE Electron Device Lettersd : IEEEg 35:7, s. 693-695q 35:7<693-695x 0741-3106x 1558-0563
856	4	u https://kth.diva-portal.org/smash/get/diva2:737280/FULLTEXT01.pdfx primaryx Raw objecty fulltext:postprint
856	4 8	u https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-148621
856	4 8	u https://doi.org/10.1109/LED.2014.2322335

Hitta via bibliotek

IEEE Electron Device Letters (Sök värdpublikationen i LIBRIS)

Till lärosätets databas

1 av 1
Föregående post
Nästa post
Till träfflistan

Hitta mer i SwePub

Av författaren/redakt...: Hedayati, Rahele ...; Lanni, Luigia; Rodriguez, Saul; Malm, Bengt Gunn ...; Rusu, Ana; Zetterling, Carl ...

Om ämnet

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER: TEKNIK OCH TEKNO ...; och Elektroteknik oc ...

Artiklar i publikationen: IEEE Electron De ...

Av lärosätet: Kungliga Tekniska Högskolan

Sök utanför SwePub

Sök vidare i:: Google; Google Book Search; Google Scholar

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

LIBRIS.kb.se