SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Lastras Martí­nez L. F.)
 

Sökning: WFRF:(Lastras Martí­nez L. F.) > Reflectance differe...

Reflectance difference spectroscopy of GaAs asymmetric surface quantum wells above the fundamental gap

Lastras-Martí­nez, L. F. (författare)
Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Stuttgart, Germany
Santos, P. V. (författare)
Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Berlin, Germany
Rönnow, Daniel (författare)
Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Stuttgart, Germany
visa fler...
Cardona, M. (författare)
Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Stuttgart, Germany
Specht, P. (författare)
Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Stuttgart, Germany
Eberl, K. (författare)
Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Stuttgart, Germany
visa färre...
 (creator_code:org_t)
1998
1998
Engelska.
Ingår i: Physica status solidi. A, Applied research. - 0031-8965 .- 1521-396X. ; 170:2, s. 317-321
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • We report Reflectance Difference (RD) measurement on (001) GaAs surface quantum wells (QW) under Ultra High Vacuum (UHV) conditions from 1.7 to 5.0eV. The QW is embedded between an arsenic-rich reconstructed GaAs surface and an AlAs barrier. The samples, grown by MBE with a protective arsenic cap layer, were heated to 320 and 430°C to desorb the As layer and form c(4 x 4) and (2 x 4) surface reconstructions, respectively. By modifying the surface reconstructure, we are able to separate the contributions to the optical anisotropy from the surface region (mainly associated with the As dimers) from those originating below the surface.

Ämnesord

NATURVETENSKAP  -- Fysik (hsv//swe)
NATURAL SCIENCES  -- Physical Sciences (hsv//eng)
TEKNIK OCH TEKNOLOGIER  -- Elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
ENGINEERING AND TECHNOLOGY  -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)

Nyckelord

Energy gap; Molecular beam epitaxy; Reflection; Semiconducting aluminum compounds; Semiconducting gallium arsenide; Semiconductor growth; Spectroscopy; Surface treatment
Aluminum arsenide; Optical anisotropy; Reflectance difference spectroscopy
Semiconductor quantum wells

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
art (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Hitta mer i SwePub

Av författaren/redakt...
Lastras-Martí­ne ...
Santos, P. V.
Rönnow, Daniel
Cardona, M.
Specht, P.
Eberl, K.
Om ämnet
NATURVETENSKAP
NATURVETENSKAP
och Fysik
TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
TEKNIK OCH TEKNO ...
och Elektroteknik oc ...
Artiklar i publikationen
Physica status s ...
Av lärosätet
Högskolan i Gävle

Sök utanför SwePub

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy