SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Lyutovich K.)
 

Sökning: WFRF:(Lyutovich K.) > (2009) > Strained Si/SiGe MO...

LIBRIS Formathandbok  (Information om MARC21)
FältnamnIndikatorerMetadata
00003569naa a2200661 4500
001oai:DiVA.org:kth-18317
003SwePub
008100805s2009 | |||||||||||000 ||eng|
0247 a https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-183172 URI
0247 a https://doi.org/10.1016/j.mee.2008.08.0012 DOI
040 a (SwePub)kth
041 a engb eng
042 9 SwePub
072 7a ref2 swepub-contenttype
072 7a art2 swepub-publicationtype
1001 a Olsen, S. H.4 aut
2451 0a Strained Si/SiGe MOS technology :b Improving gate dielectric integrity
264 1b Elsevier BV,c 2009
338 a print2 rdacarrier
500 a QC 20100525 4th IEEE International Symposium on Advanced Gate Stack Technology (ISAGST), Dallas, TX, 2007
520 a Strained Si is recognised as a necessary technology booster for the nanoelectronics regime. This work shows that high levels of stress attainable from globally strained Si/SiGe platforms can benefit gate leakage and reliability in addition to MOSFET channel mobility. Device self-heating due to the low thermal conductivity of SiGe is shown to be the dominating factor behind compromised performance against short channel strained Si/SiGe MOSFETs. Novel thin virtual substrates aimed at reducing self-heating effects are investigated. In addition to reducing self-heating effects, the thin Virtual substrates provide further improvements to gate oxide integrity, reliability and lifetime compared with conventional thick virtual substrates. This is attributed to tire lower surface roughness of the thin virtual substrates which arises due to the reduced interactions of strain-relieving misfit dislocations during thin Virtual substrate growth. Good agreement between experimental data and physical models is demonstrated, enabling gate leakage mechanisms to be identified. The advantages and challenges of using globally strained Si/SiGe to advance MOS technology are discussed.
650 7a TEKNIK OCH TEKNOLOGIERx Elektroteknik och elektronik0 (SwePub)2022 hsv//swe
650 7a ENGINEERING AND TECHNOLOGYx Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering0 (SwePub)2022 hsv//eng
653 a Si
653 a SiGe
653 a MOSFET
653 a Mobility enhancement
653 a Gate leakage
653 a Dielectric
653 a reliability
653 a Lifetime
653 a Virtual substrate
653 a n-mosfets
653 a electrical-properties
653 a si
653 a ge
653 a diffusion
653 a si1-xgex
653 a buffers
653 a alloys
653 a layers
653 a films
653 a Electrical engineering, electronics and photonics
653 a Elektroteknik, elektronik och fotonik
7001 a Yana, L.4 aut
7001 a Agaiby, R.4 aut
7001 a Escobedo-Cousin, E.4 aut
7001 a O'Neill, A. G.4 aut
7001 a Hellström, Per-Eriku KTH,Integrerade komponenter och kretsar4 aut0 (Swepub:kth)u1wc1lgb
7001 a Östling, Mikaelu KTH,Integrerade komponenter och kretsar4 aut0 (Swepub:kth)u1u0kle4
7001 a Lyutovich, K.4 aut
7001 a Kasper, E.4 aut
7001 a Claeys, C.4 aut
7001 a Parker, E. H. C.4 aut
7102 a KTHb Integrerade komponenter och kretsar4 org
7730 t Microelectronic Engineeringd : Elsevier BVg 86:3, s. 218-223q 86:3<218-223x 0167-9317x 1873-5568
8564 8u https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-18317
8564 8u https://doi.org/10.1016/j.mee.2008.08.001

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy