SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Parham P)
 

Sökning: WFRF:(Parham P) > Spin-Polarized Tunn...

Spin-Polarized Tunneling through Chemical Vapor Deposited Multilayer Molybdenum Disulfide

Dankert, André, 1986 (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology,Chalmers, Dept Microtechnol & Nanosci, SE-41296 Gothenburg, Sweden.
Pashaei, Parham (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology,Chalmers, Dept Microtechnol & Nanosci, SE-41296 Gothenburg, Sweden.,Univ Puerto Rico, Dept Phys, San Juan, PR 00931 USA.;Univ Puerto Rico, Inst Funct Nanomat, San Juan, PR 00931 USA.;Iowa State Univ, Mech Engn Dept, Ames, IA 50011 USA.,Univ Twente, MESA Inst Nanotechnol, NL-7500 AE Enschede, Netherlands.,University of Puerto Rico,Iowa State University
Mutta, Venkata Kamalakar, 1979 (författare)
Uppsala universitet,Molekyl- och kondenserade materiens fysik,Chalmers, Dept Microtechnol & Nanosci, SE-41296 Gothenburg, Sweden,Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
visa fler...
Gaur, A.P.S. (författare)
University of Puerto Rico,Iowa State University,Univ Puerto Rico, Dept Phys, San Juan, PR 00931 USA.;Univ Puerto Rico, Inst Funct Nanomat, San Juan, PR 00931 USA.;Inst Phys, Bhubaneswar 751005, Odisha, India.,Trinity Coll Dublin, AMBER & CRANN Inst, Sch Phys, Dublin 2, Ireland.,Trinity College Dublin, the University of Dublin
Dash, Saroj Prasad, 1975 (författare)
University of Puerto Rico,Univ Puerto Rico, Dept Phys, San Juan, PR 00931 USA.;Univ Puerto Rico, Inst Funct Nanomat, San Juan, PR 00931 USA.,Birla Institute of Technology and Science Pilani,Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
Rungger, I. (författare)
National Physical Laboratory (NPL),Natl Phys Lab, Teddington TW11 0LW, Middx, England.
Narayan, A. (författare)
Eidgenössische Technische Hochschule Zürich (ETH),Swiss Federal Institute of Technology in Zürich (ETH),Trinity College Dublin, the University of Dublin,Trinity Coll Dublin, AMBER & CRANN Inst, Sch Phys, Dublin 2, Ireland.;Swiss Fed Inst Technol, Mat Theory, Wolfgang Pauli Str 27, CH-8093 Zurich, Switzerland.
Dolui, K. (författare)
University of Delaware,Trinity College Dublin, the University of Dublin,Trinity Coll Dublin, AMBER & CRANN Inst, Sch Phys, Dublin 2, Ireland.;Univ Delaware, Dept Phys & Astron, Newark, DE 19716 USA.
Hoque, Anamul Md, 1988 (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology,Chalmers, Dept Microtechnol & Nanosci, SE-41296 Gothenburg, Sweden.
Patel, R.S. (författare)
Birla Institute of Technology and Science Pilani,Birla Inst Technol & Sci, Dept Phys, Pilani KK Birla Goa Campus, Zuarinagar 403726, Goa, India.
De Jong, M.P. (författare)
Katiyar, R.S. (författare)
University of Puerto Rico
Sanvito, S. (författare)
Trinity College Dublin, the University of Dublin
Dash, Saroj Prasad, 1975 (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
visa färre...
Chalmers tekniska högskola Chalmers, Dept Microtechnol & Nanosci, SE-41296 Gothenburg, Sweden (creator_code:org_t)
2017-05-30
2017
Engelska.
Ingår i: ACS Nano. - : American Chemical Society (ACS). - 1936-086X .- 1936-0851. ; 11:6, s. 6389-6395
Relaterad länk:
http://arxiv.org/pdf...
visa fler...
https://research.cha...
https://doi.org/10.1...
https://urn.kb.se/re...
visa färre...
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • The two-dimensional (2D) semiconductor molybdenum disulfide (MoS2) has attracted widespread attention for its extraordinary electrical-, optical-, spin-, and valley-related properties. Here, we report on spin-polarized tunneling through chemical vapor deposited multilayer MoS2 (∼7 nm) at room temperature in a vertically fabricated spin-valve device. A tunnel magnetoresistance (TMR) of 0.5–2% has been observed, corresponding to spin polarization of 5–10% in the measured temperature range of 300–75 K. First-principles calculations for ideal junctions result in a TMR up to 8% and a spin polarization of 26%. The detailed measurements at different temperature, bias voltages, and density functional theory calculations provide information about spin transport mechanisms in vertical multilayer MoS2 spin-valve devices. These findings form a platform for exploring spin functionalities in 2D semiconductors and understanding the basic phenomena that control their performance.

Ämnesord

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER  -- Nanoteknik (hsv//swe)
ENGINEERING AND TECHNOLOGY  -- Nano-technology (hsv//eng)
NATURVETENSKAP  -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
NATURAL SCIENCES  -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
NATURVETENSKAP  -- Fysik (hsv//swe)
NATURAL SCIENCES  -- Physical Sciences (hsv//eng)

Nyckelord

density functional theory
spin-polarized tunneling
2D semiconductor
multilayer MoS2
tunnel magnetoresistance

Publikations- och innehållstyp

art (ämneskategori)
ref (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

  • ACS Nano (Sök värdpublikationen i LIBRIS)

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy