Electrically injected GaAsBi/GaAs single quantum well laser diodes

We present electrically injected GaAs/GaAsBi single quantum well laser diodes (LDs) emitting at a record long wavelength of 1141 nm at room temperature grown by molecular beam epitaxy. The LDs have excellent device performances with internal quantum efficiency of 86%, internal loss of 10 cm-1 and transparency current density of 196 A/cm2. The LDs can operate under continuous-wave mode up to 273 K. The characteristic temperature are extracted to be 125 K in the temperature range of 77?150 K, and reduced to 90 K in the range of 150?273 K. The temperature coefficient of 0.3 nm/K is extracted in the temperature range of 77?273 K.

Pan, WenwuChinese Academy of Sciences (författare)
Wu, XiaoyanChinese Academy of Sciences (författare)
Cao, ChunfangChinese Academy of Sciences (författare)
Li, YaoyaoChinese Academy of Sciences (författare)
Chen, XChinese Academy of Sciences (författare)
Zhang, YanchaoChinese Academy of Sciences,ShanghaiTech University (författare)
Wang, LChinese Academy of Sciences (författare)
Yan, JinyiChinese Academy of Sciences (författare)
Zhang, DongliangChinese Academy of Sciences (författare)
song, yuxinChinese Academy of Sciences (författare)
Shao, JunChinese Academy of Sciences (författare)
Wang, Shu Min,1963Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)shumin (författare)
Chinese Academy of SciencesShanghaiTech University (creator_code:org_t)

Ingår i:AIP Advances: AIP Publishing7:11, s. Article Number: 115006 -2158-32262158-3226

Av författaren/redakt...: Liu, Juanjuan; Pan, Wenwu; Wu, Xiaoyan; Cao, Chunfang; Li, Yaoyao; Chen, X; visa fler...; Zhang, Yanchao; Wang, L; Yan, Jinyi; Zhang, Dongliang; song, yuxin; Shao, Jun; Wang, Shu Min, 1 ...; visa färre...

Om ämnet

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.