Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:kth-104251" >
Characterization of...
Characterization of Ni(Si,Ge) films on epitaxial SiGe(100) formed by microwave annealing
-
- Hu, Cheng (författare)
- State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, Kina
-
- Xu, Peng (författare)
- State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, Kina
-
- Fu, Chaochao (författare)
- State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, Kina
-
visa fler...
-
- Zhu, Zhiwei (författare)
- Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik
-
- Gao, Xindong (författare)
- Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik
-
- Jamshidi, Asghar (författare)
- KTH,Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT),Shool of Information and Communication Technology, Royal Institute of Technology, Kista
-
- Noroozi, Mohammad (författare)
- KTH,Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT),School of Information and Communication, Royal Institute of Technology, Kista
-
- Radamson, Henry (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar,School of Information and Communication technology, Royal Institute of Technology, Kista
-
- Wu, Dongping (författare)
- State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, Kina
-
- Zhang, Shi-Li (författare)
- Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- AIP Publishing, 2012
- 2012
- Engelska.
-
Ingår i: Applied Physics Letters. - : AIP Publishing. - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 101:9, s. 092101-
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Microwave annealing (MWA) is investigated as an alternative technique to rapid thermal processing with halogen lamp heating (RTP) for low-temperature silicide formation on epitaxially grown Si0.81Ge0.19 layers. Phase formation, resistivity mapping, morphology analysis, and composition evaluation indicate that the formation of low-resistivity NiSi1-xGex by means of MWA occurs at temperatures about 100 degrees C lower than by RTP. Under similar annealing conditions, more severe strain relaxation and defect generation are therefore found in the remaining Si0.81Ge0.19 layers treated by MWA. Although silicidation by microwave heating is in essence also due to thermal effects, details in heating mechanisms differ from RTP.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Annan fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Other Physics Topics (hsv//eng)
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
Nyckelord
- Strained Silicon
- Temperature
- Si1-Xgex
- Si
- Transistors
- Technology
- Defects
- Layers
- Nisi2
- Electronics
- Engineering Science with specialization in Electronics
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Hu, Cheng
-
Xu, Peng
-
Fu, Chaochao
-
Zhu, Zhiwei
-
Gao, Xindong
-
Jamshidi, Asghar
-
visa fler...
-
Noroozi, Mohamma ...
-
Radamson, Henry
-
Wu, Dongping
-
Zhang, Shi-Li
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
och Annan fysik
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Elektroteknik oc ...
- Artiklar i publikationen
-
Applied Physics ...
- Av lärosätet
-
Kungliga Tekniska Högskolan
-
Uppsala universitet