Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:kth-16712" >
Impact of strain an...
Impact of strain and channel orientation on the low-frequency noise performance of Si n- and pMOSFETs
-
von Haartman, M. (författare)
-
- Malm, B. Gunnar (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
- Hellström, Per-Erik (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
visa fler...
-
- Östling, Mikael (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
Grasby, T. J. (författare)
-
Whall, T. E. (författare)
-
Parker, E. H. C. (författare)
-
Lyutovich, K. (författare)
-
Oehme, M. (författare)
-
Kasper, E. (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Elsevier BV, 2007
- 2007
- Engelska.
-
Ingår i: Solid-State Electronics. - : Elsevier BV. - 0038-1101 .- 1879-2405. ; 51:5, s. 771-777
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Mobility and low-frequency (LF) noise were studied in tensile strained Si n- and pMOSFETs fabricated on relaxed SiGe virtual substrates. Both the impact of the channel orientation ((110) or (100) on (100) Si) and the tensile strain were carefully investigated. Two types of virtual substrates were used; a thin relaxed SiGe layer (20% Ge) and a thick one (27% Ge). The strained Si nMOSFETs fabricated on the thin substrate showed similar LF noise level as in the reference devices, whereas the thick substrate caused severely increased LF noise in the nMOSFETs. The latter was linked to the higher Ge concentration and explained by possible misfit dislocations and increased defect densities, likely resulting from strain relaxation caused by ion implantation damage. On the other hand, considerably lower LF noise was achieved in the pMOSFETs on the thick SiGe. The channel orientation was not found to have a significant influence on the LF noise performance in any of the studied devices.
Nyckelord
- low-frequency noise
- 1/f noise
- mobility
- strained-Si
- MOSFET
- channel orientation
- SiGe virtual substrates
- 1/f noise
- mobility
- silicon
- fluctuations
- equilibrium
- transistors
- devices
- gate
- mos
- ge
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
von Haartman, M.
-
Malm, B. Gunnar
-
Hellström, Per-E ...
-
Östling, Mikael
-
Grasby, T. J.
-
Whall, T. E.
-
visa fler...
-
Parker, E. H. C.
-
Lyutovich, K.
-
Oehme, M.
-
Kasper, E.
-
visa färre...
- Artiklar i publikationen
-
Solid-State Elec ...
- Av lärosätet
-
Kungliga Tekniska Högskolan