Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:kth-230046" >
GOI fabrication for...
GOI fabrication for monolithic 3D integration
-
- Abedin, Ahmad (författare)
- KTH,Elektronik och inbyggda system
-
- Zurauskaite, Laura (författare)
- KTH,Elektronik och inbyggda system
-
- Asadollahi, Ali (författare)
- KTH,Elektronik och inbyggda system
-
visa fler...
-
- Garidis, Konstantinos (författare)
- KTH,Elektronik och inbyggda system
-
- Jayakumar, Ganesh (författare)
- KTH,Elektronik och inbyggda system
-
- Malm, B. Gunnar (författare)
- KTH,Elektronik och inbyggda system
-
- Hellström, Per-Erik, 1970- (författare)
- KTH,Elektronik och inbyggda system
-
- Östling, Mikael (författare)
- KTH,Elektronik och inbyggda system
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2018
- 2018
- Engelska.
-
Ingår i: 2017 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Unified Conference, S3S 2017. - : Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE). - 9781538637654 ; , s. 1-3
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- A low temperature (Tmax=350 °C) process for Ge on insulator (GOI) substrate fabrication with thicknesses of less than 25 nm is reported in this work. The process is based on a single step epitaxial growth of a Ge/SiGe/Ge stack on Si, room temperature wafer bonding, and an etch-back process using Si0.5Ge0.5 as an etch-stop layer. Using this technique, GOI substrates with surface roughness below 0.5 nm, thickness nonuniformity of less than 3 nm, and residual p-type doping of less than 1016 cm-3 are achieved. Ge pFETs are fabricated (Tmax=600 °C) on the GOI wafer with 70% yield. The devices exhibit a negative threshold voltage of-0.18 V and 60% higher mobility than the SOI pFET reference devices.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Annan teknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Other Engineering and Technologies (hsv//eng)
Nyckelord
- 3D Integration
- GOI
- GOI MOSFET
- Selective Etching
- Wafer Bonding
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas