Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:kth-8626" >
High-power InGaAs/G...
High-power InGaAs/GaAs 1.3 μm VCSELs based on novel electrical confinement scheme
-
- Marcks von Würtemberg, Rickard (författare)
- KTH,Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP
-
- Berggren, Jesper (författare)
- KTH,Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP
-
- Dainese, Matteo (författare)
- KTH,Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP
-
visa fler...
-
- Hammar, Mattias (författare)
- KTH,Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Institution of Engineering and Technology (IET), 2008
- 2008
- Engelska.
-
Ingår i: Electronics Letters. - : Institution of Engineering and Technology (IET). - 0013-5194 .- 1350-911X. ; 44:6, s. 414-416
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Reported are 1.3 mu m InGaAs/GaAs vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) with a novel electrical confinement scheme based on lithographic definition and selective area epitaxial regrowth in the cavity region. More than 6 mW of output power with a record high differential efficiency of more than 70% is emitted from 10 mu m large devices.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Nyckelord
- Epitaxial growth; Lithography; Semiconducting indium gallium arsenide; Cavity region; Differential efficiency; Electrical confinement scheme
- Semiconductor physics
- Halvledarfysik
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas