Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-138882" >
AlGaN Nanostructure...
AlGaN Nanostructures with Extremely High Room-Temperature Internal Quantum Efficiency of Emission Below 300 nm
-
- Toropov, A. A. (författare)
- Ioffe Institute, Russia
-
- Shevchenko, E. A. (författare)
- Ioffe Institute, Russia
-
- Shubina, T. V. (författare)
- Ioffe Institute, Russia
-
visa fler...
-
- Jmerik, V. N. (författare)
- Ioffe Institute, Russia
-
- Nechaev, D. V. (författare)
- Ioffe Institute, Russia
-
- Evropeytsev, E. A. (författare)
- Ioffe Institute, Russia
-
- Kaibyshev, V. Kh. (författare)
- Ioffe Institute, Russia
-
- Pozina, Galia (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten
-
- Rouvimov, S. (författare)
- University of Notre Dame, IN 46556 USA
-
- Ivanov, S. V. (författare)
- Ioffe Institute, Russia
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2016-11-08
- 2017
- Engelska.
-
Ingår i: Journal of Electronic Materials. - : SPRINGER. - 0361-5235 .- 1543-186X. ; 46:7, s. 3888-3893
- Relaterad länk:
-
https://link.springe...
-
visa fler...
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- We present theoretical optimization of the design of a quantum well (QW) heterostructure based on AlGaN alloys, aimed at achievement of the maximum possible internal quantum efficiency of emission in the mid-ultraviolet spectral range below 300 nm at room temperature. A sample with optimized parameters was fabricated by plasma-assisted molecular beam epitaxy using the submonolayer digital alloying technique for QW formation. High-angle annular dark-field scanning transmission electron microscopy confirmed strong compositional disordering of the thus-fabricated QW, which presumably facilitates lateral localization of charge carriers in the QW plane. Stress evolution in the heterostructure was monitored in real time during growth using a multibeam optical stress sensor intended for measurements of substrate curvature. Time-resolved photoluminescence spectroscopy confirmed that radiative recombination in the fabricated sample dominated in the whole temperature range up to 300 K. This leads to record weak temperature-induced quenching of the QW emission intensity, which at 300 K does not exceed 20% of the low-temperature value.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Nyckelord
- AlGaN; quantum wells; excitons; molecular beam epitaxy
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Toropov, A. A.
-
Shevchenko, E. A ...
-
Shubina, T. V.
-
Jmerik, V. N.
-
Nechaev, D. V.
-
Evropeytsev, E. ...
-
visa fler...
-
Kaibyshev, V. Kh ...
-
Pozina, Galia
-
Rouvimov, S.
-
Ivanov, S. V.
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
och Den kondenserade ...
- Artiklar i publikationen
-
Journal of Elect ...
- Av lärosätet
-
Linköpings universitet