id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-141480"
Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-141480" > Bias-stress effect ...
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Bias-stress effect and recovery in organic field effect transistors: Proton migration mechanism
-
- Sharma, A. (författare)
- Eindhoven University of Technology, Netherlands
-
- Mathijssen, Simon G. J. (författare)
- Eindhoven University of Technology, Netherlands
-
- Kemerink, M. (författare)
- Eindhoven University of Technology, Netherlands
- visa fler...
- visa färre...
- (creator_code:org_t)
- Society of Photo-optical Instrumentation Engineers (SPIE), 2010
- 2010
- Engelska.
- Ingår i: ORGANIC FIELD-EFFECT TRANSISTORS IX. - : Society of Photo-optical Instrumentation Engineers (SPIE). - 9780819482747
- Konferensbidrag (refereegranskat)
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Organic field-effect transistors exhibit operational instabilities when a gate bias is applied. For a constant gate bias the threshold voltage shifts towards the applied gate bias voltage, an effect known as the bias-stress effect. We have performed a detailed experimental and theoretical study of operational instabilities in p-type transistors with silicon-dioxide gate dielectric. We propose a mechanism in which holes in the semiconductor are converted into protons in the presence of water and a reversible migration of these protons into the gate dielectric to explain the instabilities in organic transistors. We show how redistribution of charge between holes in the semiconductor and protons in the gate dielectric can consistently explain the experimental observations. Furthermore, we explain in detail the recovery of a pres-stressed transistor on applying zero gate bias. We show that recovery dynamics depends strongly on the extent of stressing. Our mechanism is consistent with the known aspects of bias-stress effect like acceleration due to humidity, constant activation energy and reversibility.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Nyckelord
- Bias-stress; recovery; protons; instabilities; organic transistor
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
- ORGANIC FIELD-EFFECT TRANSISTORS IX (Sök värdpublikationen i LIBRIS)
Till lärosätets databas
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Hitta mer i SwePub
- Av författaren/redakt...
- Sharma, A.
- Mathijssen, Simo ...
- Kemerink, M.
- de Leeuw, Dago M ...
- Bobbert, Peter A ...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
- NATURVETENSKAP
- och Fysik
- och Den kondenserade ...
- Artiklar i publikationen
- ORGANIC FIELD-EF ...
- Av lärosätet
- Linköpings universitet
Sök utanför SwePub
- Sök vidare i:
- Google Book Search
- Google Scholar
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.
- Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
- LIBRIS.kb.se
