Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-24580" >
Annealing behavior ...
Annealing behavior of the carbon vacancy in electron-irradiated 4H-SiC
-
Zolnai, Z (författare)
-
- Nguyen, Son Tien, 1953- (författare)
- Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi
-
- Hallin, Christer, 1963- (författare)
- Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi
-
visa fler...
-
- Janzén, Erik, 1954- (författare)
- Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- AIP Publishing, 2004
- 2004
- Engelska.
-
Ingår i: Journal of Applied Physics. - : AIP Publishing. - 0021-8979 .- 1089-7550. ; 96:4, s. 2406-2408
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The annealing behavior of the positively charged carbon vacancy in electron-irradiated 4H-SiC was studied. Electron paramagnetic resonance was used for the purpose of analysis. It was found that around 1000 °C, the EPR signal of the defect starts decreasing. Clear ligand hyperfine structure was also observed after annealing at 1350 °C. Results show that the EI6 center may be the positively charged carbon vacancy at the hexagonal lattice site of 4H-SiC.
Nyckelord
- NATURAL SCIENCES
- NATURVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas