Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-36477" >
Superior material p...
Superior material properties of AlN on vicinal 4H-SiC
-
- Kakanakova-Georgieva, Anelia, 1970- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
- Persson, Per, 1971- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Tunnfilmsfysik
-
Kasic, A. (författare)
-
visa fler...
-
- Hultman, Lars, 1960- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Tunnfilmsfysik
-
- Janzén, Erik, 1954- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- AIP Publishing, 2006
- 2006
- Engelska.
-
Ingår i: Journal of Applied Physics. - : AIP Publishing. - 0021-8979 .- 1089-7550. ; 100:3
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The crystal structure and optical properties of thick (>100 nm) AlN layers grown by hot-wall metalorganic chemical vapor deposition are characterized by infrared spectroscopic ellipsometry, cathodoluminescence, and transmission electron microscopy. The choice of substrates among the available SiC wafer polytype modifications (4H/6H) and misorientations (on-/off-axis cut) is found to determine the AlN defect interaction, stress homogeneity, and luminescence. The growth of thick AlN layers benefits by performing the epitaxy on off-axis substrates because, due to stacking faults, the propagation of threading defects in AlN layers is stopped in a narrow interface region. © 2006 American Institute of Physics.
Nyckelord
- NATURAL SCIENCES
- NATURVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas