Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-43528" >
Growth of Thick 4H-...
Growth of Thick 4H-SiC Epitaxial Layers on On-axis Si-Face Substrates with HCl Addition
-
- Leone, Stefano, 1978- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
- Pedersen, Henrik, 1981- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
- Henry, Anne, 1959- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
visa fler...
-
Rao, S. (författare)
-
- Kordina, Olle (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Janzén, Erik, 1954- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Trans Tech Publications, 2009
- 2009
- Engelska.
-
Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 615-617. - : Trans Tech Publications. ; , s. 93-96
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.4...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Homoepitaxial growth of 4H-SiC on on-axis Si-face substrates is reported using hydrogen chloride together with silane and ethylene. In this study, the main process parameters, such as temperature, Cl/Si ratio, C/Si ratio, Si/H2 ratio and ramp up conditions, were studied in detail to understand their effects on the growth mechanisms. Two different optimal epitaxial growth conditions were found. Silicon rich conditions and a high Cl/Si ratio were the key parameters to grow thick homoepitaxial layers with a very low background doping concentration and a growth rate higher than 20 μm/h.
Nyckelord
- NATURAL SCIENCES
- NATURVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)