Deep levels in iron doped n- and p-type 4H-SiC

Beyer, Franziska (författare): Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan

Hemmingsson, Carl (författare): Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan

Leone, Stefano (författare): Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan

Lin, Y.-C. (författare): Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan

Gällström, Henrik (författare): Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan

Henry, Anne (författare): Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan

Janzén, Erik (författare): Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan

(creator_code:org_t)

American Institute of Physics (AIP), 2011
2011
Engelska.
Ingår i: Journal of Applied Physics. - : American Institute of Physics (AIP). - 0021-8979 .- 1089-7550. ; 110, s. 123701-1-123701-5

Relaterad länk:: https://liu.diva-por... (primary) (Raw object); visa fler...; http://liu.diva-port...; https://urn.kb.se/re...; https://doi.org/10.1...; visa färre...

Abstract Ämnesord

Stäng

Deep levels were detected in Fe-doped n- and p-type 4H-SiC using deep level transient spectroscopy (DLTS). One defect level (EC 0.39 eV) was detected in n-type material. DLTS spectra of p-type 4H-SiC show two dominant peaks (EV + 0.98 eV and EV + 1.46 eV). Secondary ion mass spectrometry measurements confirm the presence of Fe in both n- and p-type 4H-SiC epitaxial layers. The majority capture process for all the three Fe-related peaks is multi-phonon assisted. Similar defect behavior in Si indicates that the observed DLTS peaks are likely related to Fe and Fe-B pairs.

Av författaren/redakt...: Beyer, Franziska; Hemmingsson, Car ...; Leone, Stefano; Lin, Y.-C.; Gällström, Henri ...; Henry, Anne; visa fler...; Janzén, Erik; visa färre...

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.