Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:lnu-22299" >
Hopping Conduction ...
Hopping Conduction in Mn Ion-Implanted GaAs Nanowires
-
- Paschoal Jr., Waldomiro (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Högskolan i Halmstad,Halmstad Embedded and Intelligent Systems Research (EIS),Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
- Kumar, Sandeep (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
- Borschel, Christian (författare)
- Institute for Solid State Physics, Jena University, Max-Wien-Platz 1, 07743 Jena, Germany
-
visa fler...
-
- Wu, Phillip (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
- Canali, Carlo M. (författare)
- Linnéuniversitetet,Institutionen för datavetenskap, fysik och matematik, DFM,Division of Physics, School of Computer Science, Physics and Mathematics, Linneaus University, 39233 Kalmar, Sweden
-
- Ronning, Carsten (författare)
- Institute for Solid State Physics, Jena University, Max-Wien-Platz 1, 07743 Jena, Germany
-
- Samuelson, Lars (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
- Pettersson, Håkan (författare)
- Högskolan i Halmstad,Halmstad Embedded and Intelligent Systems Research (EIS)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2012-08-17
- 2012
- Engelska.
-
Ingår i: Nano letters (Print). - Washington : American Chemical Society (ACS). - 1530-6984 .- 1530-6992. ; 12:9, s. 4838-4842
- Relaterad länk:
-
https://hh.diva-port...
-
visa fler...
-
http://dx.doi.org/10...
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://doi.org/10.1...
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://lup.lub.lu.s...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- We report on temperature-dependent charge transport in heavily doped Mn+-implanted GaAs nanowires. The results clearly demonstrate that the transport is governed by temperature-dependent hopping processes, with a crossover between nearest neighbor hopping and Mott variable range hopping at about 180 K. From detailed analysis, we have extracted characteristic hopping energies and corresponding hopping lengths. At low temperatures, a strongly nonlinear conductivity is observed which reflects a modified hopping process driven by the high electric field at large bias.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences (hsv//eng)
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Nanoteknik -- Nanoteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Nano-technology -- Nano-technology (hsv//eng)
Nyckelord
- Mott hopping
- nanowires
- self-assembly
- ion-implantation
- GaMnAs
- spintronics
- Condensed Matter Physics
- Kondenserade materians fysik
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas