Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:uu-74920" >
Simulation of forwa...
Simulation of forward bias injection in proton irradiated silicon pn-junctions
-
- Keskitalo, Niklas (författare)
- Uppsala universitet,Institutionen för materialvetenskap,Elektronik
-
Hallen, A (författare)
-
- Masszi, Ference (författare)
- Uppsala universitet,Institutionen för materialvetenskap,Elektronik
-
visa fler...
-
- Olsson, Jörgen (författare)
- Uppsala universitet,Institutionen för materialvetenskap,Elektronik,Fasta tillståndets elektronik
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Elsevier BV, 1996
- 1996
- Engelska.
-
Ingår i: Solid-State Electronics. - : Elsevier BV. - 0038-1101. ; 39:7, s. 1087-1092
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- A multilevel recombination model is implemented in the simulation program MEDICI to simulate proton irradiated silicon. First the model is used to simulate charge carrier distributions in proton irradiated silicon p(+)n-diodes in order to evaluate deep le
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik -- Annan elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
Nyckelord
- DOPED SILICON
- Electronics
- Elektronik
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas