Sökning: id:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:2d1577a2-29e2-4ef8-acc9-7ddc5486a987" >
850/900/1800/1900MH...
850/900/1800/1900MHz Quad-Band CMOS Medium Power Amplifier
-
Aniktar, H (författare)
-
- Sjöland, Henrik (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
H, Mikkelsen, J (författare)
-
visa fler...
-
Larsen, T (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2006
- 2006
- Engelska.
-
Ingår i: Proceedings of European Microwave Week 2006. ; , s. 403-406
- Relaterad länk:
-
http://ieeexplore.ie...
-
visa fler...
-
https://lup.lub.lu.s...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- This paper presents a two-stage quad-band CMOS RF power amplifier. The power amplifier is fabricated in a 0.25 mum CMOS process. The measured 1-dB compression point between 800 and 900 MHz is 15 dBm plusmn 0.2 dB with maximum 18% PAE, and between 1800 and 1900MHz is 17.5dBm plusmn 0.7dB with maximum 17% PAE. The measured gains in the two bands are 23.6 dB plusmn 0.7 dB and 13 dB plusmn 2.1 dB, respectively.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- kon (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)