Sökning: id:"swepub:oai:research.chalmers.se:7ba187b9-8c64-476a-86be-b7adea725a30" >
Tuning light absorp...
Tuning light absorption by band gap engineering in ZnCdO as a function of MOVPE-synthesis conditions and annealing
-
- Venkatachalapathy, V. (författare)
- Universitetet i Oslo,University of Oslo
-
- Galeckas, A. (författare)
- Universitetet i Oslo,University of Oslo
-
- Sellappan, Raja, 1981 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
visa fler...
-
- Chakarov, Dinko, 1955 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Kuznetsov, A. Y. (författare)
- Universitetet i Oslo,University of Oslo
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Elsevier BV, 2011
- 2011
- Engelska.
-
Ingår i: Journal of Crystal Growth. - : Elsevier BV. - 0022-0248. ; 315:1, s. 301-304
- Relaterad länk:
-
http://dx.doi.org/10...
-
visa fler...
-
https://research.cha...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Options of flow rate and growth temperature variations were investigated in order to reveal limitations for single phase wurtzite ZnCdO synthesis by atmospheric pressure metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE). It is found that in spite of efficient Cd incorporation (up to 60%), the wurtzite phase and the corresponding single step absorption threshold dominate only up to a Cd content
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences (hsv//eng)
Nyckelord
- Phase separation
- vapor phase epitaxy
- Light absorption
- ZnCdO
- chemical-vapor-deposition
- growth
- vectored-flow epitaxy
- Band gap engineering
- zn1-xcdxo thin-films
- Metal organic
- nanorods
- layers
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas