Sökning: id:"swepub:oai:research.chalmers.se:8f0c37fe-458b-4f9a-ad75-c1a5d055d7a6" >
Scaling potential a...
Scaling potential and MOSFET integration of thermally stable Gd silicate dielectrics
-
Gottlob, H. D. B. (författare)
-
Schmidt, M. (författare)
-
Schmidt, M (författare)
-
visa fler...
-
- Lemme, Max C., 1970- (författare)
- AMO GmbH, AMICA, Aachen, Germany
-
Lemme, M.C. (författare)
-
- Mitrovic, I. Z. (författare)
- University of Liverpool
-
- Davey, W.M. (författare)
- University of Liverpool
-
- Hall, S. (författare)
- University of Liverpool
-
- Davey, W.M. (författare)
- University of Liverpool
-
- Cherkaoui, K. (författare)
- University of Liverpool
-
- Cherkaoui, K. (författare)
- Tyndall National Institute at National University of Ireland, Cork
-
- Raeissi, Bahman, 1979 (författare)
- Tyndall National Institute at National University of Ireland, Cork
-
- Piscator, Johan, 1977 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Engström, Olof, 1943 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
Piscator, Johan, 1977 (författare)
-
Stefani, A. (författare)
-
Kurz, H. (författare)
-
Chalker, P. R. (författare)
-
Newcomb, S. B. (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Elsevier BV, 2009
- 2009
- Engelska.
-
Ingår i: Microelectronic Engineering. - : Elsevier BV. - 0167-9317 .- 1873-5568. ; 86:7-9, s. 1642-1645
- Relaterad länk:
-
http://dx.doi.org/10...
-
visa fler...
-
https://research.cha...
-
https://doi.org/10.1...
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- We investigate the potential of gadolinium silicate (GdSiO) as a thermally stable high-k gate dielectric in a gate first integration scheme. There silicon diffuses into gadolinium oxide (Gd2O3) from a silicon oxide (SiO2) interlayer specifically prepared for this purpose. We report on the scaling potential based on detailed material analysis. Gate leakage current densities and EOT values are compatible with an ITRS requirement for low stand by power (LSTP). The applicability of this GdSiO process is demonstrated by fully functional silicon on insulator (SOI) metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs). (C) 2009 Elsevier B.V. All rights reserved.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik -- Annan elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Nanoteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Nano-technology (hsv//eng)
Nyckelord
- gate dielectrics
- Rare earth silicate
- Silicate formation
- Gate first integration
- High-k dielectric
- model
- gd2o3
- si(001)
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Gottlob, H. D. B ...
-
Schmidt, M.
-
Schmidt, M
-
Lemme, Max C., 1 ...
-
Lemme, M.C.
-
Mitrovic, I. Z.
-
visa fler...
-
Davey, W.M.
-
Hall, S.
-
Cherkaoui, K.
-
Raeissi, Bahman, ...
-
Piscator, Johan, ...
-
Engström, Olof, ...
-
Stefani, A.
-
Kurz, H.
-
Chalker, P. R.
-
Newcomb, S. B.
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Elektroteknik oc ...
-
och Annan elektrotek ...
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Nanoteknik
- Artiklar i publikationen
-
Microelectronic ...
- Av lärosätet
-
Chalmers tekniska högskola
-
Kungliga Tekniska Högskolan