id:"swepub:oai:research.chalmers.se:b81744d1-c56c-4735-bb6a-7acb424ee832"
Sökning: id:"swepub:oai:research.chalmers.se:b81744d1-c56c-4735-bb6a-7acb424ee832" > The influence of ga...
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
- Gutt, T. (författare)
The influence of gate material, SiO2 fabrication method and gate edge effect on interface trap density in 3C-SiC MOS capcitors
- Artikel/kapitelEngelska2012
Förlag, utgivningsår, omfång ...
- 2012
Nummerbeteckningar
- LIBRIS-ID:oai:research.chalmers.se:b81744d1-c56c-4735-bb6a-7acb424ee832
- https://research.chalmers.se/publication/165755URI
Kompletterande språkuppgifter
- Språk:engelska
Ingår i deldatabas
- SwePubSwePub
Klassifikation
Ämnesord och genrebeteckningar
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
- Malachowski, T. (författare)
- Prewlocki, H. M. (författare)
- Engström, Olof,1943Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)oleng (författare)
- Bakowski, M. (författare)
- Esteve, R. (författare)
- Chalmers tekniska högskola (creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
- Ingår i:Materials Science Forum117, s. 109-1662-97520255-5476
Internetlänk
Hitta via bibliotek
- Materials Science Forum (Sök värdpublikationen i LIBRIS)
Till lärosätets databas
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Hitta mer i SwePub
- Av författaren/redakt...
- Gutt, T.
- Malachowski, T.
- Prewlocki, H. M.
- Engström, Olof, ...
- Bakowski, M.
- Esteve, R.
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
- TEKNIK OCH TEKNO ...
- och Materialteknik
- och Annan materialte ...
- Artiklar i publikationen
- Materials Scienc ...
- Av lärosätet
- Chalmers tekniska högskola
Sök utanför SwePub
- Sök vidare i:
- Google Book Search
- Google Scholar
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.
- Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
- LIBRIS.kb.se
