Sökning: id:"swepub:oai:research.chalmers.se:e1ac37af-c34e-45ae-bb2f-c98229da9156" >
Highly Tensile-Stra...
Highly Tensile-Strained Self-Assembled Ge Quantum Dots on InP Substrates for Integrated Light Sources
-
- Chen, Q. (författare)
- Chinese Academy of Sciences,Nanyang Technological University
-
- Zhang, Liyao (författare)
- University of Shanghai for Science and Technology
-
- Song, Y (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
visa fler...
-
- Chen, X (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Koelling, Sebastian (författare)
- Technische Universiteit Eindhoven,Eindhoven University of Technology
-
- Zhang, Z. (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Li, Y (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Koenraad, P. M. (författare)
- Technische Universiteit Eindhoven,Eindhoven University of Technology
-
- Shao, Jun (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Tan, Chuan Seng (författare)
- Nanyang Technological University
-
- Wang, Shu Min, 1963 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology,Chinese Academy of Sciences
-
- Gong, Qian (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2021-01-06
- 2021
- Engelska.
-
Ingår i: ACS Applied Nano Materials. - : American Chemical Society (ACS). - 2574-0970. ; 4:1, s. 897-906
- Relaterad länk:
-
https://research.cha...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Highly tensile-strained Ge quantum dots (TS-Ge-QDs) emitting structures with different size were successfully grown on InP substrates by molecular beam epitaxy. Dislocation-free TS-Ge-QDs were observed by transmission electron microscopy. Finite element modeling indicates a maximum tensile strain of 4.5% in the Ge QDs, which is much larger than the required strain to achieve direct band gap conversion of Ge based on theoretical prediction. Photoluminescence (PL) from a direct band-gap-like transition of TS-Ge-QDs with a peak energy of 0.796 eV was achieved and confirmed by the etch depth-dependent PL, temperature-dependent PL, and excitation-power-dependent PL. In addition, a strong defect-related peak of 1 eV was observed at room temperature. The band structure of the TS-Ge-QDs emitting structures was calculated to support the experimental results of PL spectra. Achieving PL from direct band-gap-like transitions of TS-Ge-QDs provides encouraging evidence of this promising highly tensile strained semiconductor-nanostructure-based platform for future photonics applications such as integrated light sources.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Atom- och molekylfysik och optik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Atom and Molecular Physics and Optics (hsv//eng)
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Nanoteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Nano-technology (hsv//eng)
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Nyckelord
- quantum dots
- photoluminescence
- tensile strain
- quantum confinement effects
- self-assembled growth
- germanium
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Chen, Q.
-
Zhang, Liyao
-
Song, Y
-
Chen, X
-
Koelling, Sebast ...
-
Zhang, Z.
-
visa fler...
-
Li, Y
-
Koenraad, P. M.
-
Shao, Jun
-
Tan, Chuan Seng
-
Wang, Shu Min, 1 ...
-
Gong, Qian
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
och Atom och molekyl ...
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Nanoteknik
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
och Den kondenserade ...
- Artiklar i publikationen
-
ACS Applied Nano ...
- Av lärosätet
-
Chalmers tekniska högskola