Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-7507" >
A robust spacer gat...
A robust spacer gate process for deca-nanometer high-frequency MOSFETs
-
- Hållstedt, Julius (författare)
- KTH,VinnExcellence Center for Intelligence in Paper and Packaging, iPACK
-
- Hellström, Per-Erik (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
- Zhang, Zhen (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
visa fler...
-
- Malm, B. Gunnar (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
Edholm, Jonas (författare)
-
- Lu, J. (författare)
- Uppsala University, Ångström Laboratory
-
- Zhang, Shi-Li (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
- Radamson, Henry (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
- Östling, Mikael (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Elsevier BV, 2006
- 2006
- Engelska.
-
Ingår i: Microelectronic Engineering. - : Elsevier BV. - 0167-9317 .- 1873-5568. ; 83:3, s. 434-439
- Relaterad länk:
-
http://www.sciencedi...
-
visa fler...
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- This paper, presents a robust spacer technology for definition of deca-nanometer gate length MOSFETs. Conformal deposition, selective anisotropic dry-etching and selective removal of sacrificial layers enabled patterning of an oxide hard mask with deca-nanometer lines combined with structures defined with I-line lithography on a wafer. The spacer gate technology produces negligible topographies on the hard mask and no residual particles could be detected on the wafer. The line-width roughness of 40 nm poly-Si gate lines was 4 nm and the conductance of 200 pm long lines exhibited a standard deviation of 6% across a wafer. nMOSFETs with 45 nm gate length exhibited controlled short-channel effects and the average maximum transconductance in saturation was 449 mu S/mu m with a standard deviation of 3.7% across a wafer. The devices exhibited a cut-off frequency above 100 GHz at a drain current of 315 mu A/mu m. The physical and electrical results show that the employed spacer gate technology is robust and can define deca-nanometer nMOSFETs with high yield and good uniformity.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Nyckelord
- Device processing; High frequency; Lithography; MOSFET; Nanoelectronics; Spacer technology
- Semiconductor physics
- Halvledarfysik
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas