Characterization of deep level defects in sublimation grown p-type 6H-SiC epilayers by deep level transient spectroscopy

↓ Direkt till sidans innehåll
↓ Direkt till sidans sekundära innehåll (sidomenyn)

Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-79662" > Characterization of...

1 av 1
Föregående post
Nästa post
Till träfflistan

LIBRIS Formathandbok (Information om MARC21)

Fältnamn	Indikatorer	Metadata
000		02593naa a2200349 4500
001		oai:DiVA.org:liu-79662
003		SwePub
008		120813s2012 \| \|\|\|\|\|\|\|\|\|\|\|000 \|\|eng\|
024	7	a https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-796622 URI
024	7	a https://doi.org/10.1016/j.physb.2011.08.0852 DOI
040		a (SwePub)liu
041		a engb eng
042		9 SwePub
072	7	a ref2 swepub-contenttype
072	7	a kon2 swepub-publicationtype
100	1	a Asghar, M.u Islamia University of Bahawalpur, Pakistan4 aut
245	1 0	a Characterization of deep level defects in sublimation grown p-type 6H-SiC epilayers by deep level transient spectroscopy
264	1	b Elsevier,c 2012
338		a print2 rdacarrier
520		a In this study deep level transient spectroscopy has been performed on boron-nitrogen co-doped 6H-SiC epilayers exhibiting p-type conductivity with free carrier concentration (N-A-N-D)similar to 3 x 10(17) cm(-3). We observed a hole H-1 majority carrier and an electron E-1 minority carrier traps in the device having activation energies E-nu + 0.24 eV, E-c -0.41 eV, respectively. The capture cross-section and trap concentration of H-1 and E-1 levels were found to be (5 x 10(-19) cm(2), 2 x 10(15) cm(-3)) and (1.6 x 10(-16) cm(2), 3 x 10(15) cm(-3)), respectively. Owing to the background involvement of aluminum in growth reactor and comparison of the obtained data with the literature, the H-1 defect was identified as aluminum acceptor. A reasonable justification has been given to correlate the E-1 defect to a nitrogen donor.
653		a SiC; DLTS; Acceptors; Donors; Doping; Deep level defects; LED
653		a TECHNOLOGY
653		a TEKNIKVETENSKAP
700	1	a Iqbal, F.u Islamia University of Bahawalpur, Pakistan4 aut
700	1	a Faraz, Sadiau Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan4 aut0 (Swepub:liu)sadfa20
700	1	a Jokubavicius, Valdasu Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan4 aut0 (Swepub:liu)valjo12
700	1	a Wahab, Qamaru Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan4 aut0 (Swepub:liu)qamwa17
700	1	a Syväjärvi, Mikaelu Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan4 aut0 (Swepub:liu)miksy08
710	2	a Islamia University of Bahawalpur, Pakistanb Institutionen för fysik, kemi och biologi4 org
773	0	t Physica B: Condensed Matterd : Elsevierx 0921-4526
856	4 8	u https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-79662
856	4 8	u https://doi.org/10.1016/j.physb.2011.08.085

Hitta via bibliotek

Physica B: Condensed Matter (Sök värdpublikationen i LIBRIS)

Till lärosätets databas

1 av 1
Föregående post
Nästa post
Till träfflistan

Hitta mer i SwePub

Av författaren/redakt...: Asghar, M.; Iqbal, F.; Faraz, Sadia; Jokubavicius, Va ...; Wahab, Qamar; Syväjärvi, Mikae ...

Artiklar i publikationen: Physica B: Conde ...

Av lärosätet: Linköpings universitet

Sök utanför SwePub

Sök vidare i:: Google; Google Book Search; Google Scholar

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

LIBRIS.kb.se