Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:uu-154110" >
Epitaxy of Ultrathi...
Epitaxy of Ultrathin NiSi2 Films with Predetermined Thickness
-
- Gao, Xindong (författare)
- Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik,Solid-State Electronics, The Ångström Laboratory, Uppsala University, Uppsala
-
- Andersson, Joakim (författare)
- Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik,Thin Films Group,Solid-State Electronics, The Ångström Laboratory, Uppsala University, Uppsala
-
- Kubart, Tomas (författare)
- Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik,Thin Films Group,Solid-State Electronics, The Ångström Laboratory, Uppsala University, Uppsala
-
visa fler...
-
- Nyberg, Tomas (författare)
- Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik,Thin Films Group,Solid-State Electronics, The Ångström Laboratory, Uppsala University, Uppsala
-
- Smith, Ulf (författare)
- Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik,Solid-State Electronics, The Ångström Laboratory, Uppsala University, Uppsala
-
- Lu, Jun (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan
-
- Hultman, Lars (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan
-
- Kellock, Andrew J (författare)
- IBM Almaden Research Center, San Jose, CA, USA,IBM Almaden Research Center, San Jose, California, USA
-
- Zhang, Zhen (författare)
- IBM T.J. Watson Research Center, Yorktown Heights, New York , USA
-
- Lavoie, Christian (författare)
- IBM T.J. Watson Research Center, Yorktown Heights, New York , USA
-
- Zhang, Shi-Li (författare)
- Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik,Solid-State Electronics, The Ångström Laboratory, Uppsala University, Uppsala
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- The Electrochemical Society, 2011
- 2011
- Engelska.
-
Ingår i: Electrochemical and solid-state letters. - : The Electrochemical Society. - 1099-0062 .- 1944-8775. ; 14:7, s. H268-H270
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- This letter presents a proof-of-concept process for tunable, self-limiting growth of ultrathin epitaxial NiSi2 films on Si (100). The process starts with metal sputter-deposition, followed by wet etching and then silicidation. By ionizing a fraction of the sputtered Ni atoms and biasing the Si substrate, the amount of Ni atoms incorporated in the substrate after wet etching can be controlled. As a result, the thickness of the NiSi2 films is increased from 4.7 to 7.2 nm by changing the nominal substrate bias from 0 to 600 V. The NiSi2 films are characterized by a specific resistivity around 50 mu Omega cm.
Nyckelord
- TECHNOLOGY
- TEKNIKVETENSKAP
- Engineering Science with specialization in Electronics
- Teknisk fysik med inriktning mot elektronik
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Gao, Xindong
-
Andersson, Joaki ...
-
Kubart, Tomas
-
Nyberg, Tomas
-
Smith, Ulf
-
Lu, Jun
-
visa fler...
-
Hultman, Lars
-
Kellock, Andrew ...
-
Zhang, Zhen
-
Lavoie, Christia ...
-
Zhang, Shi-Li
-
visa färre...
- Artiklar i publikationen
-
Electrochemical ...
- Av lärosätet
-
Uppsala universitet
-
Linköpings universitet