Correlating cathodoluminescence and scanning transmission electron microscopy for InGaN platelet nano-LEDs

Persson, Axel (författare): Linköping University,Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten,Centre for III-nitride technology (C3NiT)

Gustafsson, Anders (författare): Lund University,Lunds universitet,Lund University Bioimaging Center,Medicinska fakulteten,LTH profilområde: Nanovetenskap och halvledarteknologi,LTH profilområden,Lunds Tekniska Högskola,Faculty of Medicine,LTH Profile Area: Nanoscience and Semiconductor Technology,LTH Profile areas,Faculty of Engineering, LTH

Bi, Zhaoxia (författare): Lund University,Lunds universitet,Lund University Bioimaging Center,Medicinska fakulteten,LTH profilområde: Nanovetenskap och halvledarteknologi,LTH profilområden,Lunds Tekniska Högskola,Faculty of Medicine,LTH Profile Area: Nanoscience and Semiconductor Technology,LTH Profile areas,Faculty of Engineering, LTH,Future Display Institute of Xiamen

Samuelson, Lars (författare): Lund University,Lunds universitet,NanoLund: Centre for Nanoscience,Annan verksamhet, LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,LTH profilområde: Nanovetenskap och halvledarteknologi,LTH profilområden,LU profilområde: Ljus och material,Lunds universitets profilområden,Other operations, LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,LTH Profile Area: Nanoscience and Semiconductor Technology,LTH Profile areas,Faculty of Engineering, LTH,LU Profile Area: Light and Materials,Lund University Profile areas,Southern University of Science and Technology

Darakchieva, Vanya (författare): Linköping University,Lund University,Lunds universitet,Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten,Centre for III-nitride technology (C3NiT),NanoLund: Centre for Nanoscience,Annan verksamhet, LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,LTH profilområde: Nanovetenskap och halvledarteknologi,LTH profilområden,LU profilområde: Ljus och material,Lunds universitets profilområden,Other operations, LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,LTH Profile Area: Nanoscience and Semiconductor Technology,LTH Profile areas,Faculty of Engineering, LTH,LU Profile Area: Light and Materials,Lund University Profile areas

Persson, Per O A (författare): Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten

(creator_code:org_t)

AIP Publishing, 2023
2023
Engelska.
Ingår i: Applied Physics Letters. - : AIP Publishing. - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 123:2

Relaterad länk:: https://liu.diva-por... (primary) (Raw object); visa fler...; http://dx.doi.org/10... (free); https://urn.kb.se/re...; https://doi.org/10.1...; https://lup.lub.lu.s...; visa färre...

Abstract Ämnesord

Stäng

Structural defects are detrimental to the efficiency and quality of optoelectronic semiconductor devices. In this work, we study InGaN platelets with a quantum well structure intended for nano-LEDs emitting red light and how their optical properties, measured with cathodoluminescence, relate to the corresponding atomic structure. Through a method of spectroscopy-thinning-imaging, we demonstrate in plan-view how stacking mismatch boundaries intersect the quantum well in a pattern correlated with the observed diminished cathodoluminescence intensity. The results highlight the importance of avoiding stacking mismatch in small LED structures due to the relatively large region of non-radiative recombination caused by the mismatch boundaries.

Av författaren/redakt...: Persson, Axel; Gustafsson, Ande ...; Bi, Zhaoxia; Samuelson, Lars; Darakchieva, Van ...; Persson, Per O A

Om ämnet

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.