Sökning: WFRF:(Xia Ni) >
Er/O doped Si1-xGex...
Er/O doped Si1-xGex alloy layers grown by MBE
- Artikel/kapitelEngelska2001
Förlag, utgivningsår, omfång ...
Nummerbeteckningar
-
LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:liu-47358
-
https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-47358URI
-
https://doi.org/10.1016/S0925-3467(01)00035-0DOI
Kompletterande språkuppgifter
-
Språk:engelska
-
Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
Klassifikation
-
Ämneskategori:vet swepub-contenttype
-
Ämneskategori:kon swepub-publicationtype
Anmärkningar
-
Silicon-based light emitting diodes (LEDs) containing an Er/O-doped Si1-xGex active layer have been studied. The structures were grown by molecular beam epitaxy (MBE), with Er and O concentrations of 5 × 1019 and 1 × 1020 cm-3, respectively, using Er and silicon monoxide sources. The microstructure has been studied by X-ray diffraction (XRD) and cross-sectional transmission electron microscopy, and it is found that Er/O-doped Si0.92Ge0.08 layers of high crystalline quality, can be obtained. Electroluminescence (EL) measurements have been performed on reverse-biased Er/O doped diodes both from the surface and from the edge and the emission at 1.54 µm associated with the Er3+ ions has been studied at 300 K and lower temperatures. To evaluate the possibility to use a Si1-xGex layer for waveguiding in Si-based optoelectronics, studies of the refractive index n of strained Si1-xGex as a function of the Ge concentration have been done by spectroscopic ellipsometry in the range 0.3-1.7 µm. At 1.54 µm the refractive index increases monotonically with the Ge concentration up to n = 3.542 for a Ge concentration of 21.3%. © 2001 Elsevier Science B.V.
Ämnesord och genrebeteckningar
-
Electroluminescence
-
Ellipsometry
-
Erbium
-
Refractive index
-
Si1 - xGex
-
TECHNOLOGY
-
TEKNIKVETENSKAP
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
-
Du, Chun-XiaLinköpings universitet,Tekniska högskolan,Institutionen för fysik, kemi och biologi(Swepub:liu)chudu39
(författare)
-
Jarrendahl, K.
(författare)
-
Ni, Wei-XinLinköpings universitet,Tekniska högskolan,Yt- och Halvledarfysik(Swepub:liu)weini41
(författare)
-
Hansson, GöranLinköpings universitet,Tekniska högskolan,Yt- och Halvledarfysik(Swepub:liu)gorha51
(författare)
-
Linköpings universitetTekniska högskolan
(creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
-
Ingår i:Optical materials (Amsterdam)17:1-2, s. 131-1340925-34671873-1252
Internetlänk
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas