Changes in luminescence intensities and carrier dynamics induced by proton irradiation in In_xGa_1-xAs/GaAs quantum dots

↓ Direkt till sidans innehåll
↓ Direkt till sidans sekundära innehåll (sidomenyn)

Sökning: WFRF:(Taylor W) > (2000-2004) > Changes in luminesc...

LIBRIS Formathandbok (Information om MARC21)

Fältnamn	Indikatorer	Metadata
000		02794naa a2200517 4500
001		oai:DiVA.org:kth-5880
003		SwePub
008		060601s2002 \| \|\|\|\|\|\|\|\|\|\|\|000 \|\|eng\|
024	7	a https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-58802 URI
024	7	a https://doi.org/10.1103/PhysRevB.66.2353142 DOI
040		a (SwePub)kth
041		a engb eng
042		9 SwePub
072	7	a ref2 swepub-contenttype
072	7	a art2 swepub-publicationtype
100	1	a Marcinkevičius, Sauliusu KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT4 aut0 (Swepub:kth)u16tz6ld
245	1 0	a Changes in luminescence intensities and carrier dynamics induced by proton irradiation in In_xGa_1-xAs/GaAs quantum dots
264	1	c 2002
338		a print2 rdacarrier
500		a QC 20100920
520		a The effects of proton irradiation (1.5 MeV) on photoluminescence intensities and carrier dynamics were compared between InGaAs/GaAs quantum dots and similar quantum well structures. A significant enhancement in radiation tolerance is seen with three-dimensional quantum confinement. Measurements were carried out in different quantum dot structures varying in dot surface density (4x10(8)-3x10(10) cm(-2)) and substrate orientation [(100) and (311)B]. Similar trends were observed for all quantum dot samples. A slight increase in photoluminescence emission intensity after low to intermediate proton doses is observed in InGaAs/GaAs (100) quantum dot structures. The latter is explained in terms of more efficient carrier transfer from the wetting layer via radiation-induced defects.
650	7	a NATURVETENSKAPx Fysikx Atom- och molekylfysik och optik0 (SwePub)103022 hsv//swe
650	7	a NATURAL SCIENCESx Physical Sciencesx Atom and Molecular Physics and Optics0 (SwePub)103022 hsv//eng
653		a enhanced radiation hardness
653		a energy-relaxation
653		a deep levels
653		a damage
653		a lasers
653		a temperature
653		a dependence
653		a wells
653		a gaas
653		a degradation
653		a Optics
653		a Optik
700	1	a Siegert, Jörgu KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT4 aut0 (Swepub:kth)u1l7dxnh
700	1	a Leon, Rosa4 aut
700	1	a Čechavičius, Bronislovas4 aut
700	1	a Magness, B.4 aut
700	1	a Taylor, W.4 aut
700	1	a Lobo, C.4 aut
710	2	a KTHb Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT4 org
773	0	t Physical Review B. Condensed Matter and Materials Physicsg 66:23, s. 235314-q 66:23<235314-x 1098-0121x 1550-235X
856	4	u http://link.aps.org/abstract/PRB/v66/e235314
856	4 8	u https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-5880
856	4 8	u https://doi.org/10.1103/PhysRevB.66.235314

Hitta via bibliotek

Physical Review B. Condensed Matter and Materials Physics (Sök värdpublikationen i LIBRIS)

Till lärosätets databas

Hitta mer i SwePub

Av författaren/redakt...: Marcinkevičius, ...; Siegert, Jörg; Leon, Rosa; Čechavičius, Bro ...; Magness, B.; Taylor, W.; visa fler...; Lobo, C.; visa färre...

Om ämnet

NATURVETENSKAP: NATURVETENSKAP; och Fysik; och Atom och molekyl ...

Artiklar i publikationen: Physical Review ...

Av lärosätet: Kungliga Tekniska Högskolan

Sök utanför SwePub

Sök vidare i:: Google; Google Book Search; Google Scholar

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

LIBRIS.kb.se