Low temperature Ni-Al ohmic contacts to p-TYPE 4H-SiC using semi-salicide processing

↓ Direkt till sidans innehåll
↓ Direkt till sidans sekundära innehåll (sidomenyn)

Sökning: WFRF:(Östling Mikael) > (2015-2019) > Low temperature Ni-...

LIBRIS Formathandbok (Information om MARC21)

Fältnamn	Indikatorer	Metadata
000		02387naa a2200409 4500
001		oai:DiVA.org:kth-238393
003		SwePub
008		181108s2018 \| \|\|\|\|\|\|\|\|\|\|\|000 \|\|eng\|
024	7	a https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-2383932 URI
024	7	a https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.924.3892 DOI
040		a (SwePub)kth
041		a engb eng
042		9 SwePub
072	7	a ref2 swepub-contenttype
072	7	a kon2 swepub-publicationtype
100	1	a Ekström, Mattiasu KTH,Elektronik4 aut0 (Swepub:kth)u1l6zf9x
245	1 0	a Low temperature Ni-Al ohmic contacts to p-TYPE 4H-SiC using semi-salicide processing
264	1	b Trans Tech Publications,c 2018
338		a print2 rdacarrier
500		a QC 20181108
520		a Most semiconductor devices require low-resistance ohmic contact to p-type doped regions. In this work, we present a semi-salicide process that forms low-resistance contacts (~10-4 Ω cm2) to epitaxially grown p-type (>5×1018 cm-3) 4H-SiC at temperatures as low as 600 °C using rapid thermal processing (RTP). The first step is to self-align the nickel silicide (Ni2Si) at 600 °C. The second step is to deposit aluminium on top of the silicide, pattern it and then perform a second annealing step in the range 500 °C to 700 °C.
650	7	a TEKNIK OCH TEKNOLOGIERx Annan teknik0 (SwePub)2112 hsv//swe
650	7	a ENGINEERING AND TECHNOLOGYx Other Engineering and Technologies0 (SwePub)2112 hsv//eng
653		a Ni-Al
653		a P-type ohmic contact
653		a Rapid thermal processing (RTP)
653		a Silicon carbide (4H-SiC)
653		a Transfer length method (TLM)
700	1	a Hou, Shuobenu KTH,Elektronik4 aut0 (Swepub:kth)u1nvrr9i
700	1	a Elahipanah, Hosseinu KTH,Elektronik4 aut0 (Swepub:kth)u1ve1t1u
700	1	a Salemi, Arashu KTH,Elektronik4 aut0 (Swepub:kth)u14aqahn
700	1	a Östling, Mikaelu KTH,Elektronik4 aut0 (Swepub:kth)u1u0kle4
700	1	a Zetterling, Carl-Mikael,d 1966-u KTH,Elektronik4 aut0 (Swepub:kth)u15o61ns
710	2	a KTHb Elektronik4 org
773	0	t International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ICSCRM 2017d : Trans Tech Publicationsg , s. 389-392q <389-392z 9783035711455
856	4 8	u https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-238393
856	4 8	u https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.924.389

Hitta via bibliotek

International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ICSCRM 2017 (Sök värdpublikationen i LIBRIS)

Till lärosätets databas

Hitta mer i SwePub

Av författaren/redakt...: Ekström, Mattias; Hou, Shuoben; Elahipanah, Hoss ...; Salemi, Arash; Östling, Mikael; Zetterling, Carl ...

Om ämnet

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER: TEKNIK OCH TEKNO ...; och Annan teknik

Artiklar i publikationen: International Co ...

Av lärosätet: Kungliga Tekniska Högskolan

Sök utanför SwePub

Sök vidare i:: Google; Google Book Search; Google Scholar

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

LIBRIS.kb.se