SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Andersson Eric 1992)
 

Sökning: WFRF:(Andersson Eric 1992) > (2017) > Noise Properties of...

Noise Properties of YBCO Nanostructures

Trabaldo, Edoardo, 1990 (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
Arzeo, Marco, 1986 (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
Arpaia, Riccardo, 1985 (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
visa fler...
Baghdadi, Reza, 1984 (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
Andersson, Eric, 1992 (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
Lombardi, Floriana, 1967 (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
Bauch, Thilo, 1972 (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
visa färre...
 (creator_code:org_t)
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2017
2017
Engelska.
Ingår i: IEEE Transactions on Applied Superconductivity. - : Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE). - 1558-2515 .- 1051-8223. ; 27:4
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • Voltage noise measurements on close to optimally doped YBa2Cu3O7-delta nanostructures have been performed. The measured resistance noise at temperature T = 96 K (above critical temperature T-C = 85 K) shows a quadratic dependence on the bias current, e.g., the voltage power spectral density S-V alpha V-2. Moreover, the normalized voltage noise S-V/V-2 is inversely proportional to the device volume. This is a clear indication that the noise is the result of an ensemble of independent resistive fluctuators, evenly distributed within the sample volume. For our structures, we obtain a product S-V/V-2 x Vol. = const. approximate to 6 x 10-(33) m(3)/Hz resulting in a Hooge's parameter 3.4 x 10(-4), which is among the lowest reported in literature. At lower temperature, T = 2 K (well below TC) the total voltage fluctuations are given by the combined effect of critical current fluctuations and resistance fluctuations. For the critical current noise, we obtain a product S-I/IC2 x Vol. = const. approximate to 6x10(-32) m(3)/Hz. The larger value of the relative critical current noise is most probably due to the fact that the critical current is determined by edge effects whereas the resistance is given by the total volume of the device.

Ämnesord

NATURVETENSKAP  -- Fysik (hsv//swe)
NATURAL SCIENCES  -- Physical Sciences (hsv//eng)
NATURVETENSKAP  -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
NATURAL SCIENCES  -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)

Nyckelord

resistance noise
flicker noise
noise
HTS
critical current noise
nanostructure
YBCO

Publikations- och innehållstyp

art (ämneskategori)
ref (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy