Ultradeep, low-damage dry etching of SiC

QC 20100525
The Schottky barrier height (Phi(B)) and reverse breakdown voltage (V-B) of Au/n-SiC diodes were used to examine the effect of inductively coupled plasma SF6/O-2 discharges on the near-surface electrical properties of SiC. For low ion energies (less than or equal to 60 eV) in the discharge, there is minimal change in Phi(B) and V-B, but both parameters degrade at higher energies. Highly anisotropic features typical of through-wafer via holes were formed in SiC using an Al mask.

Leerungnawarat, P. (författare)
Hays, D. C. (författare)
Pearton, S. J. (författare)
Chu, S. N. G. (författare)
Strong, R. M. (författare)
Zetterling, Carl-MikaelKTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT(Swepub:kth)u15o61ns (författare)
Östling, MikaelKTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT(Swepub:kth)u1u0kle4 (författare)
Ren, F. (författare)
KTHMikroelektronik och informationsteknik, IMIT (creator_code:org_t)

Ingår i:Applied Physics Letters: AIP Publishing76:6, s. 739-7410003-69511077-3118

Av författaren/redakt...: Cho, H.; Leerungnawarat, ...; Hays, D. C.; Pearton, S. J.; Chu, S. N. G.; Strong, R. M.; visa fler...; Zetterling, Carl ...; Östling, Mikael; Ren, F.; visa färre...

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.