SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Hsu C.)
 

Sökning: WFRF:(Hsu C.) > (2005-2009) > High-phase-purity z...

High-phase-purity zinc-blende InN on r -plane sapphire substrate with controlled nitridation pretreatment

Hsiao, C.L. (författare)
Liu, T.W. (författare)
Wu, C.T. (författare)
visa fler...
Hsu, H.C. (författare)
Hsu, G.M. (författare)
Chen, L.C. (författare)
Shiao, W.Y. (författare)
Yang, C.C. (författare)
Gällström, Andreas, 1978- (författare)
Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
Holtz, Per-Olof, 1951- (författare)
Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
Chen, C.C. (författare)
Chen, K.H. (författare)
visa färre...
 (creator_code:org_t)
AIP Publishing, 2008
2008
Engelska.
Ingår i: Applied Physics Letters. - : AIP Publishing. - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 92:11
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • High-phase-purity zinc-blende (zb) InN thin film has been grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy on r -plane sapphire substrate pretreated with nitridation. X-ray diffraction analysis shows that the phase of the InN films changes from wurtzite (w) InN to a mixture of w-InN and zb-InN, to zb-InN with increasing nitridation time. High-resolution transmission electron microscopy reveals an ultrathin crystallized interlayer produced by substrate nitridation, which plays an important role in controlling the InN phase. Photoluminescence emission of zb-InN measured at 20 K shows a peak at a very low energy, 0.636 eV, and an absorption edge at ∼0.62 eV is observed at 2 K, which is the lowest bandgap reported to date among the III-nitride semiconductors. © 2008 American Institute of Physics.

Nyckelord

NATURAL SCIENCES
NATURVETENSKAP

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
art (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy