MBE-based SiGe/Si heterojunction multilayer structures

Li, K.National Key Lab of Analog IC, SISC, MII, 14 Huayuan Rd, Nanping, Chongqing 400060, China (författare)

In this paper, SiGe/Si multilayer heterostructures prepared by molecular beam epitaxy (MBE) are described with the aim of manufacturing SiGe heterojunction bipolar transistors (HBTs). Based on the simulations made by Medici, device structures have been designed and grown. The quality of the MBE layered structures has been characterized by reflection high-energy electron diffraction, X-ray diffraction, secondary ion mass spectrometry and spreading resistance. Furthermore, SiGe-HBTs have been fabricated. Promising DC and RF results of processed HBT devices have been obtained. © 2001 Elsevier Science B.V.

Zhang, J.National Key Lab of Analog IC, SISC, MII, 14 Huayuan Rd, Nanping, Chongqing 400060, China (författare)
Liu, D.National Key Lab of Analog IC, SISC, MII, 14 Huayuan Rd, Nanping, Chongqing 400060, China (författare)
Yi, Q.National Key Lab of Analog IC, SISC, MII, 14 Huayuan Rd, Nanping, Chongqing 400060, China (författare)
Guo, L.National Key Lab of Analog IC, SISC, MII, 14 Huayuan Rd, Nanping, Chongqing 400060, China (författare)
Xu, S.National Key Lab of Analog IC, SISC, MII, 14 Huayuan Rd, Nanping, Chongqing 400060, China (författare)
Ni, Wei-XinLinköpings universitet,Tekniska högskolan,Yt- och Halvledarfysik(Swepub:liu)weini41 (författare)
National Key Lab of Analog IC, SISC, MII, 14 Huayuan Rd, Nanping, Chongqing 400060, ChinaTekniska högskolan (creator_code:org_t)

Av författaren/redakt...: Li, K.; Zhang, J.; Liu, D.; Yi, Q.; Guo, L.; Xu, S.; visa fler...; Ni, Wei-Xin; visa färre...

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.