Sökning: WFRF:(Svensson Erik) >
Capacitance Measure...
Capacitance Measurements in Vertical III-V Nanowire TFETs
-
- Hellenbrand, Markus (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Nanoelektronik,Forskargrupper vid Lunds universitet,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Nano Electronics,Lund University Research Groups
-
- Memisevic, Elvedin (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Nanoelektronik,Forskargrupper vid Lunds universitet,Nano Electronics,Lund University Research Groups
-
- Svensson, Johannes (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Nanoelektronik,Forskargrupper vid Lunds universitet,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Nano Electronics,Lund University Research Groups
-
visa fler...
-
- Krishnaraja, Abinaya (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Nanoelektronik,Forskargrupper vid Lunds universitet,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Nano Electronics,Lund University Research Groups
-
- Lind, Erik (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Nanoelektronik,Forskargrupper vid Lunds universitet,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Nano Electronics,Lund University Research Groups
-
- Wernersson, Lars-Erik (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Nanoelektronik,Forskargrupper vid Lunds universitet,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Nano Electronics,Lund University Research Groups
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2018
- 2018
- Engelska 4 s.
-
Ingår i: IEEE Electron Device Letters. - 0741-3106. ; 39:7, s. 943-946
- Relaterad länk:
-
https://portal.resea... (primary) (free)
-
visa fler...
-
http://dx.doi.org/10...
-
https://lup.lub.lu.s...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- By measuring scattering parameters over a wide range of bias points, we study the intrinsic gate capacitance as well as the charge partitioning of vertical nanowire tunnel field-effect transistors (TFETs). The gate-to-drain capacitance Cgd is found to largely dominate the on-state of TFETs, whereas the gate-to-source capacitance Cgs is sufficiently small to be completely dominated by parasitic components. This indicates that the tunnel junction on the source side almost completely decouples the channel charge from the small-signal variation in the source, while the absence of a tunnel junction on the drain side allows the channel charge to follow the drain small-signal variation much more directly.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik -- Annan elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
Nyckelord
- Vertical Nanowires
- III-V
- TFET
- Small-signal model
- Intrinsic Capacitance
- RF
- Cgd
- Cgs
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas