Study of deep level defects in doped and semi-insulating n-6H-SiC epilayers grown by sublimation method

↓ Direkt till sidans innehåll
↓ Direkt till sidans sekundära innehåll (sidomenyn)

Sökning: (LAR1:liu) pers:(Syväjärvi Mikael) > Study of deep level...

LIBRIS Formathandbok (Information om MARC21)

Fältnamn	Indikatorer	Metadata
000		02687naa a2200349 4500
001		oai:DiVA.org:liu-79661
003		SwePub
008		120813s2012 \| \|\|\|\|\|\|\|\|\|\|\|000 \|\|eng\|
024	7	a https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-796612 URI
024	7	a https://doi.org/10.1016/j.physb.2011.08.0362 DOI
040		a (SwePub)liu
041		a engb eng
042		9 SwePub
072	7	a ref2 swepub-contenttype
072	7	a kon2 swepub-publicationtype
100	1	a Asghar, M.u Islamia University of Bahawalpur, Pakistan4 aut
245	1 0	a Study of deep level defects in doped and semi-insulating n-6H-SiC epilayers grown by sublimation method
264	1	b Elsevier,c 2012
338		a print2 rdacarrier
520		a Deep level transient spectroscopy (DLTS) is employed to study deep level defects in n-6H-SiC (silicon carbide) epilayers grown by the sublimation method. To study the deep level defects in n-6H-SiC, we used as-grown, nitrogen doped and nitrogen-boron co-doped samples represented as ELS-1, ELS-11 and ELS-131 having net (N-D-N-A) similar to 2.0 x 10(12) cm(-3), 2 x 10(16) cm(-3) and 9 x 10(15) cm(3), respectively. The DLTS measurements performed on ELS-1 and ELS-11 samples revealed three electron trap defects (A, B and C) having activation energies E-c - 0.39 eV, E-c - 0.67 eV and E-c - 0.91 eV, respectively. While DLTS spectra due to sample ELS-131 displayed only A level. This observation indicates that levels B and C in ELS-131 are compensated by boron and/or nitrogen-boron complex. A comparison with the published data revealed A, B and C to be E-1/E-2, Z(1)/Z(2) and R levels, respectively.
653		a n-Type 6H-SiC; Sublimation growth process; DLTS; Deep level defects; Surface defect; Co-doping
653		a TECHNOLOGY
653		a TEKNIKVETENSKAP
700	1	a Iqbal, F.u Islamia University of Bahawalpur, Pakistan4 aut
700	1	a Faraz, Sadia Munichau Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan4 aut0 (Swepub:liu)sadfa20
700	1	a Jokubavicius, Valdasu Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan4 aut0 (Swepub:liu)valjo12
700	1	a Wahab, Qamaru Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan4 aut0 (Swepub:liu)qamwa17
700	1	a Syväjärvi, Mikaelu Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan4 aut0 (Swepub:liu)miksy08
710	2	a Islamia University of Bahawalpur, Pakistanb Institutionen för fysik, kemi och biologi4 org
773	0	t Physica B: Condensed Matterd : Elsevierx 0921-4526
856	4 8	u https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-79661
856	4 8	u https://doi.org/10.1016/j.physb.2011.08.036

Hitta via bibliotek

Physica B: Condensed Matter (Sök värdpublikationen i LIBRIS)

Till lärosätets databas

Hitta mer i SwePub

Av författaren/redakt...: Asghar, M.; Iqbal, F.; Faraz, Sadia Mun ...; Jokubavicius, Va ...; Wahab, Qamar; Syväjärvi, Mikae ...

Artiklar i publikationen: Physica B: Conde ...

Av lärosätet: Linköpings universitet

Sök utanför SwePub

Sök vidare i:: Google; Google Book Search; Google Scholar

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

LIBRIS.kb.se