SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Krop I.)
 

Sökning: WFRF:(Krop I.) > (2010-2014) > Low-Threshold AlGaN...

Low-Threshold AlGaN-based UVB VCSELs enabled by post-growth cavity detuning

Cardinali, G. (författare)
Technische Universität Berlin
Hjort, Filip, 1991 (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
Prokop, N. (författare)
Technische Universität Berlin
visa fler...
Enslin, Johannes (författare)
Technische Universität Berlin
Cobet, Munise (författare)
Technische Universität Berlin
Bergmann, Michael Alexander, 1989 (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
Gustavsson, Johan, 1974 (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
Ciers, Joachim, 1991 (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
Häusler, Ines (författare)
Technische Universität Berlin
Kolbe, Tim (författare)
Ferdinand-Braun-Institut fur Hochstfrequenztechnik
Wernicke, Tim (författare)
Technische Universität Berlin
Haglund, Åsa, 1976 (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
Kneissl, Michael (författare)
Ferdinand-Braun-Institut fur Hochstfrequenztechnik,Technische Universität Berlin
visa färre...
 (creator_code:org_t)
AIP Publishing, 2022
2022
Engelska.
Ingår i: Applied Physics Letters. - : AIP Publishing. - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 121:10
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • The performance of vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) is strongly dependent on the spectral detuning between the gain peak and the resonance wavelength. Here, we use angle-resolved photoluminescence spectroscopy to investigate the emission properties of AlGaN-based VCSELs emitting in the ultraviolet-B spectral range with different detuning between the photoluminescence peak of the quantum-wells and the resonance wavelength. Accurate setting of the cavity length, and thereby the resonance wavelength, is accomplished by using doping-selective electrochemical etching of AlGaN sacrificial layers for substrate removal combined with deposition of dielectric spacer layers. By matching the resonance wavelength to the quantum-wells photoluminescence peak, a threshold power density of 0.4 MW/cm2 was achieved, and this was possible only for smooth etched surfaces with a root mean square roughness below 2 nm. These results demonstrate the importance of accurate cavity length control and surface smoothness to achieve low-Threshold AlGaN-based ultraviolet VCSELs.

Ämnesord

NATURVETENSKAP  -- Fysik -- Atom- och molekylfysik och optik (hsv//swe)
NATURAL SCIENCES  -- Physical Sciences -- Atom and Molecular Physics and Optics (hsv//eng)
NATURVETENSKAP  -- Fysik -- Annan fysik (hsv//swe)
NATURAL SCIENCES  -- Physical Sciences -- Other Physics Topics (hsv//eng)
NATURVETENSKAP  -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
NATURAL SCIENCES  -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)

Publikations- och innehållstyp

art (ämneskategori)
ref (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy