SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

L773:0038 1101
 

Sökning: L773:0038 1101 > Reduction of the Sc...

LIBRIS Formathandbok  (Information om MARC21)
FältnamnIndikatorerMetadata
00004366naa a2200601 4500
001oai:DiVA.org:kth-21829
003SwePub
008100810s2002 | |||||||||||000 ||eng|
009oai:lup.lub.lu.se:9e48d8ac-e068-424c-8f5e-3885f231d949
0247 a https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-218292 URI
0247 a https://doi.org/10.1016/S0038-1101(02)00122-32 DOI
0247 a https://lup.lub.lu.se/record/3302382 URI
040 a (SwePub)kthd (SwePub)lu
041 a engb eng
042 9 SwePub
072 7a ref2 swepub-contenttype
072 7a art2 swepub-publicationtype
1001 a Lee, S. K.4 aut
2451 0a Reduction of the Schottky barrier height on silicon carbide using Au nano-particles
264 1c 2002
338 a print2 rdacarrier
500 a QC 20100525
520 a By the incorporation of size-selected Au nano-particles in Ti Schottky contacts on silicon carbide, we could observe considerably lower the barrier height of the contacts. This result could be obtained for both n- and p-type Schottky contacts using current-voltage and capacitance voltage measurements. For n-type Schottky contacts, we observed reductions of 0.19-0.25 eV on 4H-SiC and 0.15-0.17 eV on 6H-SiC as compared with particle-free Ti Schottky contacts. For p-type SiC, the reduction was a little lower with 0.02-0.05 eV on 4H- and 0.10-0.13 eV on 6H-SiC. The reduction of the Schottky barrier height is explained using a model with enhanced electric field at the interface due to the small size of the circular patch and the large difference of the barrier height between Ti and Au.
650 7a NATURVETENSKAPx Fysikx Den kondenserade materiens fysik0 (SwePub)103042 hsv//swe
650 7a NATURAL SCIENCESx Physical Sciencesx Condensed Matter Physics0 (SwePub)103042 hsv//eng
650 7a TEKNIK OCH TEKNOLOGIERx Elektroteknik och elektronik0 (SwePub)2022 hsv//swe
650 7a ENGINEERING AND TECHNOLOGYx Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering0 (SwePub)2022 hsv//eng
653 a nano-particles
653 a Schottky barrier height
653 a silicon carbide
653 a image force lowering
653 a electron-transport
653 a contacts
653 a devices
653 a image force
653 a silicon carbide
653 a nano-particles
653 a Schottky barrier height
653 a lowering
7001 a Zetterling, Carl-Mikaelu KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT4 aut0 (Swepub:kth)u15o61ns
7001 a Östling, Mikaelu KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT4 aut0 (Swepub:kth)u1u0kle4
7001 a Aberg, I.4 aut
7001 a Magnusson, Martinu Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH4 aut0 (Swepub:lu)ftf-mm
7001 a Deppert, Knutu Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH4 aut0 (Swepub:lu)ftf-kde
7001 a Wernersson, Lars-Eriku Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Faculty of Engineering, LTH4 aut0 (Swepub:lu)ftf-lwe
7001 a Samuelson, Larsu Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH4 aut0 (Swepub:lu)ftf-lsa
7001 a Litwin, A.4 aut
7102 a KTHb Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT4 org
7730 t Solid-State Electronicsg 46:9, s. 1433-1440q 46:9<1433-1440x 0038-1101x 1879-2405
8564 u http://dx.doi.org/10.1016/S0038-1101(02)00122-3y FULLTEXT
8564 8u https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-21829
8564 8u https://doi.org/10.1016/S0038-1101(02)00122-3
8564 8u https://lup.lub.lu.se/record/330238

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy