Sökning: WFRF:(Svensson Erik)
> (2020-2021) >
Vertical nanowire I...
Vertical nanowire III–V MOSFETs with improved high-frequency gain
-
- Kilpi, Olli-Pekka (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Nanoelektronik,Forskargrupper vid Lunds universitet,Nano Electronics,Lund University Research Groups
-
- Hellenbrand, Markus (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Nanoelektronik,Forskargrupper vid Lunds universitet,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Nano Electronics,Lund University Research Groups
-
- Svensson, Johannes (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Nanoelektronik,Forskargrupper vid Lunds universitet,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Nano Electronics,Lund University Research Groups
-
visa fler...
-
- Lind, Erik (författare)
- Lund University,Lunds universitet,NanoLund: Centre for Nanoscience,Annan verksamhet, LTH,Lunds Tekniska Högskola,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Nanoelektronik,Forskargrupper vid Lunds universitet,Other operations, LTH,Faculty of Engineering, LTH,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Nano Electronics,Lund University Research Groups
-
- Wernersson, Lars-Erik (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Nanoelektronik,Forskargrupper vid Lunds universitet,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Nano Electronics,Lund University Research Groups
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2020-06
- 2020
- Engelska.
-
Ingår i: Electronics Letters. - : Institution of Engineering and Technology (IET). - 1350-911X .- 0013-5194. ; 56:13, s. 669-671
- Relaterad länk:
-
https://portal.resea... (primary) (free)
-
visa fler...
-
http://dx.doi.org/10...
-
https://ietresearch....
-
https://lup.lub.lu.s...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- High-frequency performance of vertical InAs/InGaAs heterostructure nanowire MOSFETs on Si is demonstrated for the first time for a gate-last configuration. The device architecture allows highly asymmetric capacitances, which increases the power gain. A device with Lg = 120 nm demonstrates fT = 120 GHz, fmax = 130 GHz and maximum stable gain (MSG) = 14.4 dB at 20 GHz. These metrics demonstrate the state-of-the-art performance of vertical nanowire MOSFETs.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Nanoteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Nano-technology (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas