Sökning: L773:1938 1964 OR L773:1938 1956 >
Carbon-doped GaN on...
Carbon-doped GaN on SiC materials for low-memory-effect devices
-
- Chen, J. T. (författare)
- SweGaN AB, S-58330 Linkoping, Sweden
-
- Janzén, Erik (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten
-
- Rorsman, Niklas, 1964 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology,Chalmers, Sweden
-
visa fler...
-
- Thorsell, Mattias, 1982 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology,Chalmers, Sweden
-
- Andersson, Michael (författare)
- SweGaN AB, S-58330 Linkoping, Sweden
-
- Kordina, O. (författare)
- SweGaN AB, S-58330 Linkoping, Sweden
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- ISBN 9781607685395
- The Electrochemical Society, 2016
- 2016
- Engelska.
-
Ingår i: ECS Transactions. - : The Electrochemical Society. - 1938-5862 .- 1938-6737. - 9781607685395 ; 75:12, s. 61-65, s. 61-65
- Relaterad länk:
-
http://dx.doi.org/10...
-
visa fler...
-
https://research.cha...
-
https://doi.org/10.1...
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- AlGaN/GaN on SiC HEMT structures suitable for high power, high frequency applications are demonstrated. The material manifests record breaking thermal management and electron mobility. Moreover, thanks to the fact that the buffer layer is doped with carbon, the memory effect of processed devices is very low making system design and manufacturing significantly easier and less expensive.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Nanoteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Nano-technology (hsv//eng)
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik -- Annan elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- kon (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas